Une carte mémoire flash de 100 Go ?
Des chercheurs coréens viennent de publier les résultats de leurs recherches dans le magazine Nature Nanotechnology et affirment avoir développé des semi-conducteurs de 10 nm bâtis sur des nanotubes de carbone. Alors que de nombreuses voix se sont élevées pour affirmer que les mémoires flash ne pourraient pas avoir une finesse de gravure plus grande que 32 ou 22 nm, cet article semble ouvrir une nouvelle voie à de plus grosses cartes-mémoires Flash. Choi Hee-cheul et Kim Hyun-tak, les chercheurs en question, affirment avoir franchi la barre symbolique des 10 nm pour la première fois au monde.
Nanotubes de carbone et isolant de Mott
En plus d’avoir utilisé des nanotubes de carbone, les scientifiques ont fait appel à un nouveau matériau appelé l’isolant de Mott. En gros, ce matériau peut jouer instantanément le rôle de conducteur ou d’isolant, ce phénomène ayant été compris par Sir Nevil Mott en 1949, qui reçut le prix Nobel de physique en 1977. De nombreuses recherches restent encore à faire et l’on est incertain quant à la capacité qu’une carte-mémoire flash utilisant ces semi-conducteurs peut atteindre. Les chercheurs coréens parlent néanmoins de 100 Go. Comparé aux 8 Go que l’on trouve dans notre comparateur de prix, il est clair que c’est un réel pas en avant.
Le progrès aujourd’hui
Les recherches ne sont pas finies et les chercheurs avouent travailler maintenant avec des start-ups américaines afin de produire des puces mémoires de 10 nm. En ce qui concerne les nanotubes de carbone, beaucoup attendent la commercialisation cette année des NRAM, des mémoires bâtis avec ces fameux nanotubes. Nous vous en faisions part dans notre dossier d’actualité « Retour sur le futur des mémoires ». Seagate aussi se penche sur l’utilisation de nanotubes pour protéger les supports magnétiques ce qui permettrait d’abaisser un peu plus la tête de lecture d’un disque dur (cf. « Seagate augmente la densité des disques durs »). De son côté, l’isolant de Mott continue d’intéresser les physiciens qui ont encore à le comprendre pleinement.
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je cite: "Alors que de nombreuses voix se sont élevées pour affirmer que les mémoires flash ne pourraient pas avoir une finesse de gravure plus grande que 32 ou 22 nm"

une finesse de gravure plus petite que 32 ou 22 nm serait plus logique non?
Augmenter la finesse = diminuer la taille.