De la NAND Hynix en 15 nm d'ici fin 2012

Hynix a présenté un module NAND utilisant une finesse de gravure assez énigmatique de « mi–1x nm ». On imagine qu’il s’agit d’un processus de fabrication tournant autour de 15 nm, mais que la firme n’a pas encore décidé d’une valeur définitive et qu’elle oscille probablement entre le 16 nm et le 14 nm.

Une nouvelle finesse de gravure

La firme planifie de lancer la production en masse de ces puces à la fin de l’année prochaine, ce qui nous fait penser qu’elle devrait probablement utiliser le 16 nm. Intel, l’un des leaders dans ce domaine, commence tout juste à tester le 14 nm (cf. « Intel teste déjà la gravure en 14 nm »). Hynix a présenté sa nouvelle finesse de gravure à l’IEDM au début du mois.

Les modules de mémoire sont plus faciles à fabriquer, ce qui explique que leur processus de fabrication soit en avance par rapport aux processeurs. Par exemple, Intel vient de commencer à produire ses puces NAND 20 nm (cf. « Intel grave sa Flash en 20 nm, met 128 Gbit sur une puce »), alors que les Ivy Bridge en 22 nm ne sont pas attendus avant avril 2012 (cf. « Ivy Bridge : avril 2012 se confirme »). Néanmoins, nous pensons que le 14 nm est encore trop loin pour une production en masse en 2012 et le 16 nm semble donc plus probable.

Un produit du sidewall-spacer

Pour arriver à ses fins, la firme fait massivement appel au double motif. Pour mieux comprendre cette méthode de fabrication, nous vous invitons à lire notre chapitre « Le double motif, un passage obligé ». Hynix a fait appel à la technique du sidewall-spacer qui dessine d’abord les contours de l’architecture et procède ensuite aux lignes adjacentes. Cette technique est privilégiée par les fabricants de mémoire, car elle offre de bons résultats pour les modules de mémoires qui ont des architectures simples.