Le fabricant Samsung vient d’annoncer ce qu’il indique être la première puce DRAM basse consommation de 1 Gbit gravée en 80 nm et destinée à être utilisée dans les périphériques mobiles. Plus économe en énergie, elle est également plus fine de 20% qu’une puce de 1 Gbit composée de 2 dies de 512 Mbits empilés. Elle devrait également permettre d’élaborer des puces de 1,5 ou 2 Gbits composées de plusieurs dies de 1 Gbit empilés.

Cette puce devrait être produite en masse à partir du second trimestre 2007 et devrait prendre place dans de nombreux périphériques tels les caméras numériques, les baladeurs numériques ou encore les consoles de jeu portables et peut même être combinée avec de la mémoire flash selon Samsung.