IBM et Samsung contre Intel pour le 20 nm

IBM et Samsung ont annoncé qu’ils allaient travailler ensemble sur de nouveaux semiconducteurs et les processus de fabrication nécessaires pour graver en 20 nm et moins.

De la nécessité de collaborer

Les investissements toujours plus importants, la pression technologique d’Intel et le fait que les marchés tentent encore de suivre la conjecture de Moore obligent les fondeurs à travailler ensemble. Ce partenariat n’est pas surprenant, Samsung appartenant au fab club depuis longtemps. Néanmoins, pour la première fois, les chercheurs coréens rejoindront ceux d’IBM dans les laboratoires new-yorkais de ce dernier.

Une étape importante pour Samsung

Les travaux devraient se concentrer sur la structure des transistors, les interconnexions, le packaging et les matériaux permettant de répondre aux défis physiques liés à cette nouvelle finesse de gravure. Ce partenariat pourrait aussi signifier que Samsung va finalement utiliser des couches isolantes de forte permittivité électrique (high-k), à l’instar d’Intel et AMD, ce dernier ayant commencé avec ses premières puces Fusion.

Nous sommes aussi en droit de nous demander comment les deux sociétés résoudront leur différend portant sur l’utilisation de la technologie gate-first ou gate-last (cf. « Gate first : Samsung retourne sa veste »).

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