Toshiba a annoncé aujourd’hui avoir mis au point une nouvelle technique de fabrication de mémoire NAND Flash. Le procédé permet d’empiler les transistors en trois dimensions, et donc d’augmenter la densité de stockage. La technique inventée par Toshiba est aussi très intéressante car elle n’implique pas de lourdes modifications des procédés de fabrication existant.

En effet, Toshiba a pris le problème de l’empilement des cellules mémoire à l’envers de la vision de ses concurrents. Là où Samsung, par exemple, empile des couches de cellules et cherche à percer des trous au travers pour réaliser les interconnexions, Toshiba empile les couches d’interconnexions et fait passer ces cellules au travers.

De plus, dans ce système, les circuits de contrôles ne sont pas dupliqués pour chaque couche mais mutualisés. Grâce à cela, Toshiba obtient une augmentation 10 plus importante de la densité des cellules mémoires que les techniques classiques. Enfin, le procédé est moins coûteux car plus rapide que l’empilement successif de plusieurs couches. Reste à Toshiba à fiabiliser son procédé. Le fondeur ne se risque pour l’instant pas à indiquer la date à laquelle ce procédé pourrait être employé à grande échelle.

Source : Toshiba