De la mémoire 512 bits pour les smartphones

Samsung vient de présenter une nouvelle mémoire qui pourrait régler un des problèmes des SoC ARM et donc des smartphones et autres tablettes : la bande passante mémoire. La nouvelle « Mobile DRAM with Wide I/O » utilise en fait un bus mémoire sur 512 bits, contre 32 bits avec la LPDDR2 utilisée habituellement.

Samsung annonce que ses puces de 1 gigabit gravées en 50 nm peuvent atteindre un débit de 12,8 Go/s, ce qui indique une fréquence de fonctionnement assez faible (équivalent à de la DDR2-200). L'avantage est que la bande passante reste correcte avec une consommation en nette diminution, Samsung parlant de 87 % de réduction de la consommation. La société coréenne espère produire des puces de 4 gigabits gravées en 20 nm en 2013, avec bien évidemment des SoC compatibles. Le seul problème vient de la connexion physique : la mémoire s'interface actuellement avec 1 200 pins.

Notons que si la majorité des SoC actuels travaillent avec de la mémoire LPDDR2 sur un bus 32 bits, les prochaines générations devraient passer en 64 bits et les versions destinées aux tablettes vont prendre en charge la mémoire DDR3, la LPDDR2 restant la mémoire de choix dans les smartphones, grâce à sa consommation.