IBM craint pour l’EUV à 14/15 nm

Durant une keynote donnée lors de l’ARM Technology Conference, IBM a fait savoir que l’EUV (Extreme UltraViolet) serait « avantageux » à 14/15 nm « s’il est prêt ».

TSMC et ses concurrents devraient recevoir leurs premiers scanners EUV l’année prochaine (cf. « La lithographie EUV chez TSMC en 2011 ») et Samsung parle déjà de produire des puces mémoires en 2012. La question est néanmoins de savoir si cette technologie sera prête pour des puces aux architectures complexes, comme les microprocesseurs, d’ici le 14/15 nm qui est attendu pour 2013, voire 2014. Or, à en croire l’attitude d’IBM, rien n’est moins sûr.

Pour mieux comprendre les enjeux technologiques, nous vous invitons à lire notre dossier « Miniaturisation des transistors et agrandissements des wafers : comprendre les enjeux technologiques ». Le fait est que le double patterning est une technologie qui coûte cher et la course à la miniaturisation passera par l’EUV, mais les défis technologiques qu’il soulève pourraient ralentir le passage à une nouvelle finesse de gravure.

On notera aussi qu’IBM n’a pas donné d’indications concernant l’utilisation de wafers en 450 mm. Seul Intel semble pour l’instant parler d’usines prêtes à accueillir ce type de galette.