AMD et IBM : vers l'EUV
AMD et IBM ont réussi à produire une puce en utilisant le processus de lithographie par ultra-violet extrême (EUV). La puce mesure 22 mm x 33 mm et fut gravée en 45 nm.
Un pas de plus
Selon certains, l’EUV est nécessaire si l’on souhaite descendre en dessous de 32 nm. Pour rappel, la lithographie par ultraviolet extrême serait la solution pour dépasser la process butoir de 22 nm. Le principe est le même qu’auparavant : focalisez un rayon, mais cette fois-ci, il s’agit d’un ultraviolet extrême. Sa longueur d’onde se situe entre 10 et 15 nm. Au lieu d’utiliser des optiques, on va faire appel à des miroirs rétrécissant le rayon.
Il faut néanmoins préciser qu’en fait, la puce a été produite avec un scanner classique 193 nm DUV (Deep Ultraviolet), les interconnections entre les transistors ont été réalisé dans l’usine IBM d’Albany en utilisant un scanner 13,5 nm ASML EUV. Selon le communiqué, la puce serait aussi fiable que celles qui seraient uniquement façonnées par DUV. Ce serait aussi la première puce dont la totalité de sa surface aurait été soumise à la lithographie par EUV.
Toute une marche à accomplir
Si cet essai fut donc concluant, il reste encore un bon bout de temps avant que l’EUV ne remplace les DUV. Tout d’abord, sur le plan technologique, AMD doit maintenant travailler pouvoir utiliser l’EUV pour autre chose que les interconnexions en métal. Ensuite, il faudra attendre que les fondeurs veuillent bien investir. Les machines sont extrêmement chères et les analystes tablent sur une transition d’ici 2013. Sur le plan technologique, les experts pensent que l’EUV ne sera pas obligatoire avant 2016.
De son côté, Intel prévoierait de commencer à utiliser l’ EUV en 2009 (cf. « Wafer de 450 mm ou lithographie EUV pour Toshiba »)
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- AMD ,
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en albanie...
j'en doute un peu, par contre qu'il s'agisse de l'usine IBM d'Albany, ça peut etre crédible
foutu correcteur orthographie
il me l'a corrigé et j'ai pas fait gaffe... merci 
- The AMD test chip first went through processing at AMD’s Fab 36 in Dresden, Germany, using 193 nm immersion lithography, the most advanced lithography tools in high volume production today.
- The test chip wafers were then shipped to IBM’s Research Facility at the College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) in Albany, New York where AMD, IBM and their partners used an ASML EUV lithography scanner installed in Albany through a partnership with ASML, IBM and CNSE, to pattern the first layer of metal interconnects between the transistors built in Germany.
After patterning, etch and metal deposition processes, among others, the EUV device structures underwent electrical testing at AMD, with transistors showing characteristics very consistent with those of test chips built using only 193 nm immersion lithography.
These wafers will receive additional metal interconnect layers using standard Fab processing so that large memory arrays can also be tested.
The next step in proving viability of the EUV lithography for production will be to apply it not only to metal interconnects but to all critical layers to show an entire working microprocessor can be made utilizing EUV lithography.
EUV lithography will need to be fully qualified for production prior to 2016, when the 22nm half-pitch node on the International Technology Roadmap for Semiconductors is expected to be reached.