La lithographie EUV chez TSMC en 2011

TSMC vient d’annoncer que les premiers systèmes lithographiques à ultraviolet extrême (EUV) en provenance de l’équipementier ASML seront livrés en 2011.

L’EUV pour le 20 nm

Le Taïwanais utiliserait l’EUV pour graver en 20 nm, le fondeur ayant affirmé vouloir sauter le 22 nm. Il parle aussi d’une utilisation en masse de cette technologie pour 2013. Pour rappel, ce procédé lithographique focalise un rayon ultraviolet extrême d’une longueur d’onde se situant entre 10 nm et 15 nm. Au lieu d’utiliser des optiques, on va faire appel à des miroirs rétrécissant le rayon.

Il reste un long chemin à faire

Cette technologie est très prometteuse et devrait permettre aux fondeurs de dépasser les 22 nm. Elle est aussi très jeune, ce qui signifie que les yields sont encore faibles, ce qui explique le délai de deux ans avant la commercialisation de puces utilisant ce processus de fabrication. TSMC vise la production de 100 wafers par heure. Les machines d’ASML seront installées dans la Fab 12, une usine utilisant des galettes de 300 mm.