Pas de transistors 3D pour TSMC avant 2015

Un responsable de TSMC a fait savoir que le 28 nm connaissait un début très prometteur. Il a aussi répondu à l’annonce d’Intel portant sur la fabrication en masse de FinFET en affirmant qu’il ne fabriquerait pas de transistors 3D en 20 nm.

Les fabricants ont hâte de passer au 28 nm

Selon la roadmap du fondeur, les puces gravées en 20 nm devraient être commercialisées durant le deuxième semestre 2012. En attendant, il se prépare à passer au 28 nm et se félicite du nombre de designs soumis. Il est trois fois supérieur à ce qu’il était à l’époque où TSMC allait lancer son 40 nm. Concrètement, TSMC aurait actuellement 89 tapeout. Tapeout est le nom de la dernière étape du processus de développement d’un circuit intégré. Le fabricant envoie le design au fondeur ainsi que les masques qui seront ajustés pour optimiser la fabrication des puces. TSMC aurait donc reçu 89 designs à fabriquer. Il estime qu’il détient pour l’instant 90 % des designs en 28 nm.

Cet engouement pour ce nouveau processus de fabrication serait principalement alimenté par le marché des terminaux mobiles. Les fabricants veulent des processeurs plus petits et consommant moins d’énergie. Ils visent aussi des modèles plus performants à taille égale. La concurrence extrêmement féroce les pousse à investir dans ces nouvelles finesses de gravure.

Pas de transistors 3D pour le reste du monde avant 2015

TSMC a profité de cette annonce positive pour contre balancer le fait qu’il ne fabriquerait pas de transistors en 3D de si tôt. Pour rappel, Intel a annoncé la semaine dernière son transistor FinFET (cf. « Tri-Gate : Intel invente le transistor 3D »). Au lieu d’utiliser une structure planaire, il a encastré la source et le drain dans la grille. Très schématiquement, cela permet de mieux répartir le nombre d’électrons traversant le transistor et réduire les fuites de courant. Comme nous le mentionnions dans notre actualité, TSMC a déjà montré des transistors FinFET, mais il a avoué aujourd’hui qu’il est encore loin de pouvoir les produire en masse.

Penchons-nous un instant sur l’histoire des semi-conducteurs et un exemple relativement proche, c’est-à-dire celui du high-k metal gate (HKMG). Intel a commercialisé ses premiers transistors utilisant une grille en métal et une couche isolante high-k en novembre 2007 lors de l’introduction de ses processeurs gravés en 45 nm. Le reste de l’industrie l’a finalement suivi lorsque les fondeurs sont passés au 32 nm. Les premières puces d’AMD devraient arriver cette année. Il aura donc fallu plus de deux ans à l’industrie pour rattraper Intel.

Intel devrait vendre ses premiers processeurs disposant de transistors 3D début 2012, lors de l’intronisation des Ivy Bridge et de son 22 nm. Si l’histoire se répète, les fondeurs fabriqueront des FinFET lorsqu’ils passeront au 16/14 nm, ce qui ne devrait pas arriver avant 2015.