Hynix et Grandis pour la STT-RAM

Hynix et Grandis viennent d’annoncer la signature d’un accord à long terme pour le développement et la fabrication de STT-RAM. 

L’union fait la force

Grandis, qui est un des pionniers en matière de STT-RAM, devrait intégrer ses technologies dans des puces Hynix, en se réservant une part du gâteau. Ainsi, les équipes techniques des deux sociétés font travailler ensemble à l’intégration des « jonctions tunnel magnétique » dans des CMOS.

Spin et idéal

Pour rappel, la STT-RAM reprend le principe de la MRAM. Les données (1 ou 0) sont représentées par un champ magnétique. Le problème des MRAM dites classiques est qu’elles demandent de générer un courant important ce qui est incompatible avec les systèmes prônant une faible consommation. De plus, la grande intensité du courant peut aussi affecter involontairement d’autres cellules, provoquant des erreurs d’écriture. Enfin, les MRAM originelles supportent très mal les finesses de gravure en dessous de 40 nm.

C’est pour cela qu’une autre technique a été élaborée, dites du Spin Transfer Switching ou Spin Torque Tranfert (le fameux STT des STT-RAM). Grossièrement, le spin - notion issue de la physique quantique - caractérise le mouvement de rotation de chaque électron. Le principe veut que le spin de chaque électron s’aligne, sur l’orientation du champ magnétique créé par l’élément qu’il traverse (cf. schéma ci-dessus). L’avantage de cette technologie est qu’elle demande un courant plus faible (1.5 V) et qu’elle tolère bien mieux les augmentations de finesse de gravure. Cela permet donc d’améliorer la densité des puces STT-RAM comparativement aux MRAM classiques et de réduire les coûts de production. La technique du STT offre aussi un nombre quasi illimité de cycles de lecture/écriture.

Les deux sociétés ne parlent pas encore de commercialisation.

Pour plus d’information sur les mémoires de demain, vous pouvez lire notre dossier « Retour sur le futur des mémoires ».