HP et Nanolithosolutions ont annoncé conjointement avoir raffiné leur procédé de nanolithographie par impression de sorte à le rendre compatible avec les lignes de fabrication actuelles de semi-conducteurs. Une avancée qui pourrait s’avérer cruciale pour l’adoption de ce nouveau procédé de production des semi-conducteurs.

Expérimenter le 15 nm

La nanolithographie consiste à créer le réseauLAN est l’acronyme du terme anglais Local Area Network, que l’on peut traduire en fraçais par Réseau Local. Sa définition consiste en un ensemble d’or... des pistes électriques formant les circuits en pressant un moule contre un substrat polymère. C’est un procédé potentiellement beaucoup plus économique que la lithographie UV utilisée aujourd’hui. De plus, le procédé développé par HP est capable d’atteindre une finesse de gravure de 15 nm. Des résultats très séduisants.

Malheureusement, compte-tenu des investissements nécessaires, les fondeurs sont très prudents face à toute nouvelle technologie de production. Pour essayer de venir à bout de leurs réticences, Nanolithosolutions a donc cherché, et réussi, à réduire la taille du moule d’impression pour le rendre compatible avec les masques de lithographie UV. Les fondeurs peuvent donc intervertir les deux pièces et expérimenter facilement.

L’avenir des disques durs

La lithographie par impression est pressentie comme l’une des techniques d’avenir pour la fabrication des semi-conducteurs en général. Les processeurs et mémoires ne seront d’ailleurs pas les seuls à en profiter, puisque l’un de ses premiers débouchés pourrait être la fabrication des disques durs à substrat structuré (patterned media) qui devraient pointer le bout de leur nez vers 2010.