Hitachi et IBM ont annoncé avoir signé un accord scellant un partenariat de deux ans portant sur la fabrication de semiconducteurs gravés en 32 nm et 22 nm.

Après avoir racheté sa branche disque dur, Hitachi rejoint maintenant IBM dans sa lutte pour une finesse de gravure toujours plus grande. Les deux sociétés travailleront ensemble sur la structure des semiconducteurs. Les travaux seront menés dans le centre de recherche d’IBM à New York et dans le College of Nanoscale Science and Engineering d’Albany. Les deux sociétés ne devraient pas néanmoins travailler sur le Cell qui est un projet d’IBM, Sony et Toshiba.

Pour la petite histoire, c’est la première fois que les deux compagnies s’associent sur un tel projet. Les détails financiers de l’accord sont restés secrets. De son côté, Intel parle de graver des puces en 22 nm d’ici 2011.