Alors que la mémoire DDR4, supposée remplaçante de l’actuelle mémoire DDR3, n’est pas attendue avant de nombreux mois (voire quelques années), Micron vient d’annoncer la HMC (Hybrid Memory Cube), un type de mémoire DRAM censé être 20 fois plus rapide qu’un module de mémoire DDR3. Rien que ça.
Micron explique que l’empilement de puces de mémoire DRAM et l'intégration de la couche logique au sein même du package permet de diminuer la consommation de l’ensemble d’un facteur 10. L’espace occupé est également réduit de 90% par rapport aux modules RDIMM actuels. Destiné dans un premier temps au marché professionnel, ce type de mémoire n’est pas attendu avant 2015-2016. Les premiers prototypes seraient toutefois d’ores et déjà fonctionnels…
Sous la roche ?
*ça fait tout de même un petit moment que l'empilement est mentionner sur des sites comme presencePC/tom'shardware & consorts. Donc annoncer 20X mieux à l'horizon 2016 c'est tellement ridicule. Je serai curieux de voir des données sur l'état d'une technologie lorsqu'elle sort (et éventuellement comment elle mature) et de ce qu'on lui prédisait lors de son développement. Ça vaut pour l'amélioration des finesses de gravure.
Question intel passe quand à l'EUV? Parce que pour le moment de ce que je sais ils sont obliger de faire plusieurs passages avec des filtres différents pour atteindre les finesses voulues.
On nous "vend", promet à qui mieux mieux tous les jours (ou presque) et la plupart du temps, nous nous retrouvons avec au mieux un pétard mouillé au pire une vaste fumisterie qui ne fait rire personne.
Caverne, caverne, j'y suis, j'y reste.