Le Hybrid Memory Cube d'Intel et Micron pour une DRAM intelligente

Intel et Micron ont montré le Hybrid Memory Cube, une puce de DRAM dans laquelle est intégrée un circuit logique bien plus complexe que ce que l’on trouve aujourd’hui. Il sert de mémoire tampon et optimise le flot d’information pour permettre des débits de 1 Tbit/s en ne demandant que 8 W et 1,2 V. À consommation identique, il a des performances sept fois supérieures à celle d’une DDR3.

Les deux constructeurs ont empilé le circuit logique dans le packaging avec les dies de DRAM. L’idée d’empiler des dies de DRAM dans un même packaging n’est pas nouvelle, mais la technologie se complique grandement dès que l’on utilise une architecture plus complexe, comme celle d’un circuit logique. Il y a donc encore de nombreux défis à relever en ce qui concerne les rendements et coûts, mais cette nouvelle structure pourrait être la solution aux goulots d’étranglement que l’on anticipe sur les DRAM.

Le gain de performance est dû au fait que la communication entre la mémoire et le processeur est grandement simplifiée, le circuit logique ouvrant la voie à des protocoles d’accès plus efficace et plus rapide.