Le fabricant coréen Hynix Semiconductor vient d’annoncer la sortie d’une gamme de modules mémoire DDR2 haute capacité, basés sur des puces produites avec la technologie 60 nm.

D’une densité de 1 Gb, ces puces mémoire DDR2 sont également adaptées aux cartes graphiques et aux modules mémoire SoDIMM pour PC portables. Hynix a d’ores et déjà fait valider par Intel des modules mémoire DDR2 unbuffered de 1 Go et 2 Go fonctionnant à 800 MHz. Une capacité de 1 Go n’a rien d’exceptionnelle , mais Hynix estime que la mise en place du procédé de production à 60 nm réduira progressivement de 50 % les coûts de fabrication des puces mémoire de 1 Gb (comparée à la technologie 80 nm). Ces puces mémoire de haute densité et taille réduite permettront à Hynix de produire de manière économique des modules DDR2 buffered et FB-DIMM (fully buffered) de 4 Go et plus, ainsi que des modules VLP (very low profil). Micron a récemment présenté de telles barrettes de 18,3 mm de haut, conçues pour les serveurs blade. Hynix indique qu’il démarrera une production de masse de DDR2 à 60 nm, dans le courant du premier semestre 2007.

Source : Digitimes