Hynix produit de la DDR2-800 gravée en 60 nm

Le fabricant coréen Hynix Semiconductor vient d’annoncer la sortie d’une gamme de modules mémoire DDR2 haute capacité, basés sur des puces produites avec la technologie 60 nm.

D’une densité de 1 Gb, ces puces mémoire DDR2 sont également adaptées aux cartes graphiques et aux modules mémoire SoDIMM pour PC portables. Hynix a d’ores et déjà fait valider par Intel des modules mémoire DDR2 unbuffered de 1 Go et 2 Go fonctionnant à 800 MHz. Une capacité de 1 Go n’a rien d’exceptionnelle , mais Hynix estime que la mise en place du procédé de production à 60 nm réduira progressivement de 50 % les coûts de fabrication des puces mémoire de 1 Gb (comparée à la technologie 80 nm). Ces puces mémoire de haute densité et taille réduite permettront à Hynix de produire de manière économique des modules DDR2 buffered et FB-DIMM (fully buffered) de 4 Go et plus, ainsi que des modules VLP (very low profil). Micron a récemment présenté de telles barrettes de 18,3 mm de haut, conçues pour les serveurs blade. Hynix indique qu’il démarrera une production de masse de DDR2 à 60 nm, dans le courant du premier semestre 2007.