Hynix: des puces de 1 Gb de DDR3 en 40 nm
Quelques jours après Samsung et ses modules de 1 Gbit de mémoire DDR2 gravés en 40 nm, c'est au tour du constructeur Hynix d'annoncer ses premières puces de 1 Gbit de mémoire DDR3, également gravées en 40 nm.
Capable d'atteindre une bande passante de 2133 Mbps, cette puce respecte les recommandations d'Intel concernant la mémoire DDR3 et devrait donc rapidement être certifiée par ce dernier. Hynix espère améliorer sa productivité de près de 50% grâce à l'utilisation de cette finesse de gravure associée à sa technologie de transistors tri-dimensionnels. Les premières puces sont attendues sur le marché d'ici la seconde moitié de l'année.
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