Hynix et ProMOS viennent de finalement signer un accord visant à construire des modules de DRAMDynamic Random Access Memory. Principale technologie déployée pour les puces de mémoire vive (RAM). La DRAM est une mémoire vive dynamique, par opposi... en 54 nm.

La saga

Le moins que l’on puisse dire, c’est que les pourparlers entre ProMOS et Hynix ont été pour le moins mouvementés. En novembre dernier, les deux sociétés avaient annoncé qu’elles étaient en pourparler pour la production de puces en 66 nm. En janvier dernier, nous vous rapportions néanmoins que le partenariat était en danger. Les raisons étaient simples : ProMOS était d’abord devenu très bon dans la production de puces gravées en 70 nm. La fabrication de 1 Go de DDR2Deuxième génération de mémoire DDR (Double Data Rate), apparue en 2003. La mémoire DDR (nom complet : DDR SDRAM) a pour particularité par rapport à de... utilisant cette finesse de gravure coûtait alors 20 % moins cher que chez les autres fabricants. ProMOS n’était donc pas pressé de changer de procédé de fabrication. Du côté d’Hynix ce dernier prévoyait déjà à l’époque de basculer en 54 nm d’ici la fin de l’année 2008. Beaucoup pensaient que ProMOS attendraient le 54 nm au lieu de choisir le 66 nm. C’est finalement ce qui s’est passé.

Les termes de l’accord

Selon les termes du contrat, Hynix fabriquera des modules de DRAM pour ProMOS en 54 nm en contrepartie d’une licence que ce dernier devra payer. En retour, ProMOS devra aussi fournir une partie de ses puces à Hynix. Enfin, Hynx s’engage à coopérer avec certains investisseurs dans le but de racheter 8 % à 10 % de parts ProMOS afin de fortifier une entente à long terme. Hynix deviendra ainsi l’un des principaux actionnaires de ProMOS.