Hynix grave sa mémoire flash en 48nm

Alors que la production de puces mémoires flash NAND gravées en 57nm n’est effective que depuis le troisième trimestre 2007 chez Hynix, le constructeur vient d’annoncer son intention de produire en masse de la mémoire flash NAND gravée en 48nm dès le début de l’année 2008.

Hynix en avance

Après avoir connu un retard face à ses principaux concurrents Samsung Electronics et Toshiba, Hynix pourrait donc bien être le premier fabricant à utiliser une telle finesse de gravure. En effet, le constructeur indique avoir d’ores et déjà réussi à mettre au point ses puces de mémoires flash NAND MLC de 16 Gbits gravées en 48 nm alors que les autres fabricants de mémoire flash NAND ne prévoient pas de passer à une gravure en 40 nm avant la seconde moitié de l’année 2008.

Les premières puces devraient sortir des usines d’Hynix dès le mois de janvier. Le passage à un process de gravure en 48 nm permettrait, selon Hynix, une augmentation de productivité de 90%.