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Graver en 32 nm d’ici 2009 ?

par - source: EETimes Asia

Un Wafer en 45nmAlors que les premiers processeurs Intel gravés en 45 nm devraient sortir à la fin de cette année (cf. Intel : le Penryn est en bonne voie), les fondeurs parlent beaucoup de la gravure en 32 nm. Ils discutent surtout des problèmes qu’une telle finesse amène et parle de diverses solutions, en passant par de nouveaux outils en lithographie, des grilles, des diélectrique high-k ou des matériaux ultralow-k. Certains experts estiment même que ces problèmes pourraient retarder la sortie des puces gravées en 32 nm. Prévue initialement pour 2009, on pourrait glisser vers 2010 selon un représentant d’IBM. Intel reste néanmoins plus confiant et affirme que l’année 2009 est toujours d’actualité.

Pour rappel, les termes high-k ou ultralow-k désignent une catégorie de matériaux en fonction de leur permissivité électrique. En gros, plus un matériau laisse passer l’électricité et plus il aura une constante diélectrique haute. L’eau non distillée est un très bon conducteur avec une constance diélectrique de 80. On parle de high-k ou low-k car on prend la valeur du dioxyde de silicium comme référence. Celle-ci étant de 3,9, tout matériau ayant une constante inférieure sera considéré comme low-k contre high-k pour une constante supérieure.

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sseb22 02/02/2007 04:34
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Quid des problemes lies aux effets quantiques ?
A cette finesse de gravure, se font-ils deja ressentir ?

Caabale 02/02/2007 14:28
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Citation :L’eau non distillée est un très bon conducteur avec une constance diélectrique de 80. On parle de high-k ou low-k car on prend la valeur du dioxyde de silicium comme référence. Celle-ci étant de 3,9, tout matériau ayant une constante inférieure sera considéré comme low-k contre high-k pour une constante supérieure.


Nan mais faut pas exagerer, hein, l'eau n'est pas un bon conducteur, meme non-distillee, et meme si tu la satures de sel. Le cuivre, par exemple, est un bon conducteur. Et a mon avis, high-k, ne signifie pas seulement "meilleur conducteur que le SiO2", mais plutot "tres tres bon conducteur". Parce que sinon, dans ce cas-la, le polysilicium et les pistes metalliques utilises jusqu'a present pourraient etre qualifies de high-k...

skylight 02/02/2007 15:21
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Faut préciser également, que les puces en 32nm nécéssitent (pour une mise en production) des scanners à immersion.
La R&D actuelle est capable de graver ces puces avec des scanners secs (dry), mais en production, ça ne tiendra pas. (chaleur du laser).
La plupart des fabs dans le monde ne possèdent que des scanners "dry", il faudra attendre la construction ou le renouvellements de fabs avec des scanners à immersion, or sur une machine de 50 millions de $, le retour sur investissement est de 3 ans. Donc les renouvellements peuvent s'écheancer de 2008 à 2011.
On a le temps, quoi.

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