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IBM 32 nm et grille High-K

par - source: Tom's Hardware FR

Les deux innovations introduites par le 45 nm : di-électrique high-k et grille métalliqueIBM vient d’annoncer qu’il utiliserait de nouvelles grilles pour ses transistors au moment de son passage à la gravure en 32 nm. Le fondeur affirme obtenir de meilleures performances et une consommation réduite.

La nouvelle grille IBM

L’utilisation de grilles High-K disposant d’une diode métallique se fera sur les chaînes de production en gravant en 32 nm et fabricants des wafers de 300 mm dans ses usines de Fishkill à New York. Les premiers wafers de tests sont déjà sortis et les partenaires d’IBM (Chartered, Freescale, Infineon, Samsung, STMicroelectronics et Toshiba) pourront commencer à concevoir des puces utilisant cette technologie d’ici le troisième trimestre de cette année. On notera qu’AMD n’est pas mentionné alors que les deux sociétés sont pourtant très proches en ce qui concerne la fabrication de semiconducteur. IBM explique que cette annonce concerne l’alliance des fondeurs IBM, dont AMD ne fait pas parti. Le géantvert fait partie de l’alliance SOI haute performance.

Dans l’ombre d’Intel

Pour remettre les choses dans leur contexte, sachez qu’IBM a tout de même un train de retard sur Intel qui a introduit des grilles similaires dans ses Penryn gravés en 45 nm (cf. « Intel QX9650 : la révolution Penryn ? »). Pour rappel, le dioxyde de silicium est devenu trop fin, ce qui l’empêchait d’être suffisamment isolant. Il a été remplacé chez Intel par du Hafnium. Ce matériau a un diélectrique High-K (forte constante diélectrique, autrement dit, qui réagit fortement à un champ électrique) et offre ainsi une meilleure isolation. On ne sait pas quel matériau IBM compte utiliser.

Tant chez Intel que chez IBM, l’électrode de grille change puisque les deux ont remplacé le polysilicium par un métal non identifié.

Le père des Pentium devrait vendre ses premiers processeurs en 32 nm fin 2009. On attend aussi qu’il fasse la démonstration de puces SRAM gravées en 22 nm début 2009.

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stef63 15/04/2008 10:27
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Le high-k remplacerait le strained silicon? (procédé smartcut de soitec)
Merci de me confirmer.

anonymous 15/04/2008 10:42
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Je ne suis pas sûr que l'on puisse dire Qu'IBM a un train de retard ; parcequ'ils n'utilisent pas d'Hafnium sur leurs procédé 45nm ( IBM produit le Cell en 45nm: http://www.nordichardware.com/news,7323.html )

étant donné que ce ne sont pas les mêmes techniques de gravure:

-Intel n'a pas changé sa technique de lithographie pour le 45nm par contre utilise de l'hafnium et devront passer à l'ultraviolet extrême pour le 32nm

-IBM utilise le SOI (pas Intel) et est passé à la lithographie par immersion pour le 45nm et ne changeront pas de technique de lithographie pour le 32nm mais utiliseront alors l'Hafnium ( http://www.lemondeinformatique.fr/ [...] 22212.html )

Enfin , quand on compare les fleuronts de la production des deux fondeurs :

-C2Q(sortie tout récemment); 1,3Volts 3,2Ghz 820 millions de transistors en 45nm
-Futur Itanium(sortie en fin d'année) Voltage ? 2Ghz 2 milliards de transistors en 65nm

Chez IBM:
-POWER6(sortie en mai 2007) 1,2Volts 4,7Ghz 790millions de transistors en 65nm
-Z10(sortie tout récemment) voltage ? 4,4Ghz 1 milliards de transistors en 65nm







anonymous 15/04/2008 10:45
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http://www.lemondeinformatique.fr/ [...] 22212.html

http://www.nordichardware.com/news,7323.html

Lorsqu'intel devra passer à l'ultraviolet extrême pour le 32nm; IBM n'aura pas besoin de changer de lithographie mais utilisera .... l'Hafnium !

Wirmish 15/04/2008 16:41
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Voici une liste plus complète des compagnies qui font parti de l'Alliance: PHOTO

1. Le SOI sera utilisé jusqu'au 22nm.
2. Soitec ne fabrique pas de silicium, il utilise des galettes fournies par d'autres industriels et y ajoute une couche d'alumine.
3. Ce n'est pas de l'hafnium qui est utilisé pour isoler les couches entre elles, c'est plus précisément du Hafnium Silicon Oxynitride (HfSiON).
4. Quant au Strained Silicon, on devrait plutôt dire: Strained Silicon Germanium (SiGe).

Il serait aussi bon de rappeler que le principal brevet exploité par Soitec ne concerne pas le silicium, la silice, le germanium ou le hafnium, mais le procédé de transfert d'une couche isolante sur un substrat de silicium.

anonymous 17/04/2008 09:28
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Bon on verra bien mais dans le genre "IBM a un train de retard" ; IBM vient d'annoncer vouloir produire en 32 nm à la fin de l'année c'est à dire avant Intel ...

bien sûr ça ne reste qu'une annonce.

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