IBM, AMD et leurs alliés accélèrent la gravure en 32 nm

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Lundi 10 décembre 2007 à 16:10 par Matthieu Lamelot

Une cellule de SRAM 32 nm gravée par IBMIBM et ses alliés pour la recherche (AMD, Chartered Semiconductors, Freescale, Samsung, Infineon) viennent d’annoncer avoir simplifié la mise en place des procédés de gravure en 32 nm. Les fondeurs prévoient donc de pouvoir migrer vers cette finesse à partir de mi-2009.

Le nerf de la guerre

Dans la rude concurrence qui oppose les fondeurs de semi-conducteurs, la maitrise de procédés de gravure des transistors les plus fins possible est critique. C’est grâce à son avance dans ce domaine qu’Intel peut maintenir son leadership. Le géant bleu a d’ores et déjà prévu de passer au 32 nm mi-2009. AMD de son côté, n’a pas encore débuté sa production en 45 nm, et est donc en passe de voir son retard sur Intel augmenter dangereusement. C’est pourquoi l’annonce d’IBM et consorts est importante.

High-k gate first

Big Blue ne détaille pas son procédé ; tout juste sait-on son nom "high-k gate first". Ceci laisse deviner que le secret réside dans l’ordre des opérations de gravure. Grâce à cela, IBM assure que l’intégration du procédé 32 nm - complexe à cause de la nécessité d’employer de nouveaux matériaux diélectriques high-k et de nouveaux oxydes métalliques pour les portes de transistors - est plus facile, et plus rapide.

45 % moins d’énergie, 30 % de performances en plus

IBM a déjà mis en oeuvre son procédé dans son usine pilote de East FishKill pour produire des cellules de mémoire SRAM ne mesurant que 0,15 µm², les plus petites jamais produites. Intel par exemple avait présenté au dernier IDF, des cellules de SRAM de 0,182 µm².

De plus, les SRAM d’IBM ont une consommation électrique de 45 % inférieure à des cellules classiques à fréquence égale, et on peut accélérer leur fréquence de 30 %. Ces gains en consommation et en performances sont du même ordre, mais supérieur à ceux annoncés par Intel lorsqu’il a introduit son procédé 45 nm utilisant aussi des matériaux high-k et des ports métalliques (cf. Intel Penryn : la gravure en 45 nm décryptée). Il semble donc que la bataille de la gravure ne soit pas encore finie. Intel est certes en avance sur le planning, mais ses concurrents suivent de près, et peut-être même avec une technologie plus performante.

Source : IBM

Commentaires
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megaloute 10/12/2007 17:24
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Aaaaaaaaaaah le rêve du PC surpuissant qui consomme peu semble commencer à se dessiner ^_^

StanThall 10/12/2007 17:38
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30% de performance pour AMD, ça serait pas trop tot :)

Ils pourraient récupérer des Phenom aux perf "normales" ? :lol:

H1H-MAXXX 10/12/2007 19:36
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En tout cas, je l'espere bien ! :fou:

glitter 10/12/2007 22:44
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Attention, là on parle de 32nm, et pas de 45.

Par contre, j'avoue que l'avance d'Intel dans ce domaine est réellement impresionnant.

H1H-MAXXX 11/12/2007 17:44
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Il n'en est pas moins qu'AMD va profiter partiellement la technologie la technologie High-k dans ces 45 nm. Notamment l'introduction de la 4e génération de "strained silicon" qui, à fréquence égale, permet d'augmenter les performances des transistors. :D

H1H-MAXXX 11/12/2007 17:45
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