IBM et ses alliés pour la recherche (AMDAMD est l’acronyme de « Advanced Micro Devices, Inc. ». Il s’agit d’un fabricant de semi-conducteurs basé à Sunnyvale en Californie. La réputation du..., Chartered Semiconductors, Freescale, Samsung, Infineon) viennent d’annoncer avoir simplifié la mise en place des procédés de gravure en 32 nm. Les fondeurs prévoient donc de pouvoir migrer vers cette finesse à partir de mi-2009.

Le nerf de la guerre

Dans la rude concurrence qui oppose les fondeurs de semi-conducteurs, la maitrise de procédés de gravure des transistorsComposant électronique de la catégorie des semi-conducteurs qui joue un rôle fondamental dans les circuits logiques ou l’amplification et qui est à la... les plus fins possible est critique. C’est grâce à son avance dans ce domaine qu’IntelIntel est le premier fabricant mondial de microprocesseurs pour ordinateurs. Le terme Intel est issu de la contraction de « Integrated Electronics »).... peut maintenir son leadership. Le géant bleu a d’ores et déjà prévu de passer au 32 nm mi-2009. AMD de son côté, n’a pas encore débuté sa production en 45 nm, et est donc en passe de voir son retard sur Intel augmenter dangereusement. C’est pourquoi l’annonce d’IBM et consorts est importante.

High-k gate first

Big Blue ne détaille pas son procédé ; tout juste sait-on son nom "high-k gate first". Ceci laisse deviner que le secret réside dans l’ordre des opérations de gravure. Grâce à cela, IBM assure que l’intégration du procédé 32 nm - complexe à cause de la nécessité d’employer de nouveaux matériaux diélectriques high-k et de nouveaux oxydes métalliques pour les portes de transistors - est plus facile, et plus rapide.

45 % moins d’énergie, 30 % de performances en plus

IBM a déjà mis en oeuvre son procédé dans son usine piloteModule logiciel nécessaire à un système d’exploitation pour gérer un périphérique ou un matériel particulier. Le pilote est un module logiciel qui ass... de East FishKill pour produire des cellules de mémoire SRAM ne mesurant que 0,15 µm², les plus petites jamais produites. Intel par exemple avait présenté au dernier IDFIntel Developer Forum. Rencontre bi-annuelle à l’occasion de laquelle Intel présente à ses principaux partenaires et à la presse les évolutions à veni..., des cellules de SRAM de 0,182 µm².

De plus, les SRAM d’IBM ont une consommation électrique de 45 % inférieure à des cellules classiques à fréquenceLa fréquence désigne la mesure du nombre de fois qu’un phénomène périodique se reproduit chaque seconde. L’unité dans laquelle s’exprime la fréquence ... égale, et on peut accélérer leur fréquence de 30 %. Ces gains en consommation et en performances sont du même ordre, mais supérieur à ceux annoncés par Intel lorsqu’il a introduit son procédé 45 nm utilisant aussi des matériaux high-k et des ports métalliques (cf. Intel Penryn : la gravure en 45 nm décryptée). Il semble donc que la bataille de la gravure ne soit pas encore finie. Intel est certes en avance sur le planning, mais ses concurrents suivent de près, et peut-être même avec une technologie plus performante.