Intel envisage la possibilité d’intégrer de la DRAM directement dans ses processeurs.

DRAM simplifiée

Des chercheurs d’Intel ont réussi à créer des cellules de DRAM simplifiées qui ne contiendraient que deux transistors et pas de condensateur. Les chercheurs ne disent pas comment l’information est retenue, mais il est clair que cela simplifie grandement la fabrication des cellules. C’est suite à cette découverte qu’Intel a annoncé travailler sur la possibilité de retirer la SRAM de ses processeurs au profit de cette DRAM simplifiée qui serait donc moins chère à produire.

S’il est vrai que la SRAM est assez compliquée puisqu’elle demande en général six transistors (des SRAM à un transistor existent, mais elles sont rares. On les trouve dans la Wii par exemple), elle a l’avantage de consommer moins et n’a pas besoin d’être constamment rafraîchie. Néanmoins, la SRAM est bien plus chère à fabriquer et n’offre pas une plus grande capacité.

Le futur de la DRAM 2T chez Intel

Pour l’instant, les travaux d’Intel visant à intégrer des DRAM dans ses processeurs sont assez prometteurs. Le fondeur a reussi à faire fonctionner ses DRAM 2T (deux transistors) à 2 GHz pour obtenir une bande passante de 128 Go/s. Si Intel arrivait à intégrer cette mémoire dans ses QX9770/9775, la bande passante passerait à 204,8 Go/s et le cache L2 aurait des performances dix fois supérieures à ce que l’on connait aujourd’hui.

Concrètement, Intel parle de graver ses DRAM 2T en 45 nm et les implanter dans son processeur Terascale.

Source : TG Daily