Intel joue les plombiers et répare les fuites
Intel, qui chevauche le monde de l’informatique sur un cheval de bataille galopant vers le «performance / watt» et partant à la chasse de la consommation électrique, annonce aujourd’hui l’une de ses premières victoires.
On estime aujourd’hui que les processeurs Intel n’utilisent que 57% de la puissance électrique qu’ils consomment, les 43% restant serait le résultat de fuites provenant des transistors. C'est ce dont nous vous faisions part en avril 2005 au moment d'aborder l'architecture dual-core. Intel aurait donc procédé à quelques améliorations afin que les futures processeurs ne soient pas victimes de fuites de courant.
Un problème connu
Réparer les fuites qui peuvent survenir lorsque le courant traverse un transistor est un terrain que de nombreuses compagnies ont déjà investi. C’est notamment le cas de Texas Instruments et Freescale qui se sont penchés sur la question depuis longtemps et ont déjà mis sur le marché divers processus, implantés au stade de la fabrication du wafer (une galette de silicium qui contient les microcircuits d’un chip).
Si l'on en sait très peu quant au procédé utilisé par Intel pour réduire lesdites fuites, il est établi que le géant de santa Clara utilisera des connections en cuivre plus fines entre les transistors. Cela devrait permettre de limiter les pertes aux niveaux des interconnections et de l'oxide de grille des transistors. Ce procédé sera d’abord effectif dans les usines situées en Oregon, puis celle d’Arizona pour enfin atteindre celle d’Ireland en 2006.
Intel y croit dur comme fer
Un des représentants d’Intel, M. Mark Bohr met en avant les avancées d'Intel dans ce domaine en affirmant que «le nombre de transistors sur certains chip dépassent le milliard. Il est donc clair que les améliorations apportées sur chaque transistor multiplieront de façons considérables les bénéfices de l’ensemble du chip».
Nous attendons d’autres nouvelles de ce genre au regard des prévisions qu'Intel a fait sur la future consommation electrique de ses chips. L’application de cette nouvelle technologie devrait aussi avoir des répercussions sur le monde de la téléphonie mobile et des PDA, que le numéro un du semi-conducteur tente aussi de pénétrer.
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"Cela devrait permettre de limiter les pertes aux niveaux des intersections " => interconnexions plutôt non
Intel debuts low-power 65-nm process
The technology, dubbed P1265, represents Intel’s first process that is tailored for ultra-low power chip applications, such as cellular phones, PDAs and other products, said Mark Bohr, senior fellow and director of process architecture and integration at Intel (Santa Clara, Calif.).
[...]
To enable P1265, Intel has modified its 65-nm process in three areas: the sub-threshold voltage, ultra-shallow junction and gate oxide.
But the technology does have some trade offs in performance. “Intel’s ultra-low power is a significant part of Intel’s strategy to reduce platform power,” he said in an interview. “The transistor performance is lower by a factor of two” compared to the company’s high-performance 65-nm process.
http://www.eet.com/news/latest/sho [...] =170704744
"et celles résultant de l’oxydation des portes" => non
ils parlent de l'oxide de grille d'un transistor
Corrigé
Je ne comprends pas trop la manière dont est formulé le problème chez Intel. Dans tous les cas de figure, l'énergie consommée par un processeur est de l'énergie perdue.
Maintenant c'est vrai qu'avec des technos de plus en plus fines, il y a une tendance à avoir une perte statique et non plus dynamique, ce qui fait que le proc est "rentable" quand il est à pleine charge, et consomme encore beaucoup de courant quand il est non utilisé. Ca va finir par donner des proc qui consomment autant quand ils sont sollicités ou non.
C'est pourquoi on procède à des descentes en fréquence et surtout en tension, à des traitements des wafers. Mais c'est un phénomène connu qui devrait encore s'accroître largement, pour peu que l'on puisse toujours descendre en finesse de gravure. A terme, et à moins de trouver une nouvelle parade, ça me parait insoluble, quelle que soit la manière de quantifier la puissance du proc en question.
le sub-threshold voltage devrait pas mal aider.
Me demande s'ils utilisent des technos CMOS a multithreshold d'ailleurs
"l'oxide de grille des transistors.", oxyde
joce> ouais, cela se fait sur la techno HCMOS8 de St microelec (0.18µm). Y'a 2 types de transistors avec 2 Vth différent. Mais cela ne change en rien les courants de fuites qui sont prépondérant en 90 nm. Maintenant, il joue sur des meilleurs isolant pour éviter les fuites, ou sur le SOI qui isole le waffer.
ceci dit le SOI faut faire un travaille de caractérisation de lib assez important pour pouvoir l'utiliser (à cause de l'effet d'histoire, etc...), sans compter que ca revient assez cher.