Roadmap des finesses de gravure
Les premières puces gravées aux UVE (ultraviolets extrêmes) par Intel devraient débarquer d’ici 2015.
11 nm en 2015 ?
M. Otellini a profité de l’IDF pour affirmer que la lithographie par ultraviolet extrême ne devrait pas être prête pour le 15 nm (prévu pour 2013), malgré toute la bonne volonté du fondeur qui sera obligé d’utiliser une lithographie par immersion. L’UVE devrait débarquer pour le 11 nm qui pourrait devenir une réalité en 2015 si Intel arrive à maintenir la cadence d’une nouvelle finesse de gravure tous les deux ans.
Intel en profite pour faire des économies
Nous pensons néanmoins que la firme espère surtout pouvoir utiliser les techniques de production existante le plus longtemps possible et ne regrette pas ce retard. En effet, nous savons qu’en juin dernier, elle a annoncé avoir développé un processus de fabrication lui permettant de graver en 22 nm tout en utilisant une lithographie par immersion (cf. « Intel repousse les limites de la litho par immersion »). Retarder le passage à une lithographie par ultraviolet extrême permet à Intel de réaliser des économies phénoménales.
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On en peut pas les blâmer non plus...
C'est normal qu'ils cherchent à faire des éconnomies!
Le prix des proc diminue aussi ?
D'autant que la recherche et développement leur coupe une jambe, un bras et un oeil, et ce, chaque année !
Ces technologies me font halluciner, mais d'ici quelques années, on ne pourra plus aller plus loin en terme de finesse, à moins que les lois de la physique nous réservent des surprises !!
Le prix des proc diminue aussi ?
faut pas rêver !!
Bah... le saut quantique ? Si je me rappelle bien de mes cours de fac, la finesse de gravure ne pourrait pas être inférieure au saut quantique, sinon les électrons passeraient "par dessus les murs"... Donc jusque là. Mais bon, c'est loin, je peux me tromper et ils ont pu faire des progrès :-)
Bah... le saut quantique ? Si je me rappelle bien de mes cours de fac, la finesse de gravure ne pourrait pas être inférieure au saut quantique, sinon les électrons passeraient "par dessus les murs"... Donc jusque là. Mais bon, c'est loin, je peux me tromper et ils ont pu faire des progrès :-)
Je n'ai pas fait de physique à ce niveau, donc je ne sais pas non plus.
Moi je pensais à un phénomène lié aux radiations solaires qui font que la matière se "déchire", pour caricaturer, ce serait comme une découpe au laser des transistors. Disons que même si on arrive à miniaturiser au max, la durée de vie des composants serait très réduite dès que les électrons y passeraient (j'ai lu ça, je suis loin d'être un expert ...)
Non je crois que surtout le problème si on miniaturise trop, c'est les courants de fuite qui peuvent ruiner la consommation et les performances.
On parle d'"effet tunnel" : les électrons ont une probabilité non négligeable de franchir un obstacle s'il a une épaisseur de seulement l'ordre d'une ou deux couches atomiques (plus épais, la probabilité existe toujours mais devient négligeable). Effectivement, cela donc constitue donc une sorte de fort courant de fuite.
En changeant d'isolant (les "high-k" au hafnium), on a réduit le phénomène, ce qui retarde un peu la fin de la course.
Mais un autre problème est la "loi de Rock" (voir fiche Wikipédia sur la loi de Moore pour plus de détails) : le prix des usines augmente plus vite que la finesse, le montant des investissements à faire à chaque génération de puces pourrait donc être un facteur plus limitant que les contraintes physiques.
Solutions possibles mais -encore ?- futuristes : passer à des processeurs quantiques, optiques, ou nouveaux matériaux comme le graphène et nanotubes. Pour l'instant, il reste un peu de marge avec les transistors classiques.