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Intel sort aussi sa PRAM

par - source: EETimes

Photo d'une cellule de PRAM en 200 nmIntel serait en train de préparer la sortie de sample de PRAM de 16 Mo gravés en 90 nm et livrés au premier semestre 2007. La firme de Santa Clara parle d’une production de masse vers la fin 2007. C’est en tout cas ce qu’a révélé Brian Harisson, vice-président du groupe des mémoires Flash chez Intel lors d’une conférence en Californie. Intel détient, à titre d’information, une licence d’Ovonyx depuis 2000.

Les équipes sont en place

Le père des Core 2 Duo ne sera pas tout seul puisque la firme franco-italienne STMicroelectronics est partenaire dans la recherche sur la PRAM. Les deux sociétés pensent que la Phase Change RAM est le successeur de la mémoire flash non volatile. Ce ne sont pas les seuls puisque Qimonda travaille aussi sur cette mémoire avec IBM et Macronix. De son côté, Samsung a commencé à livrer ses premiers samples (cf. « Samsung commence à livrer ses PRAM ») et Hitachi fait part de ses progrès dans le domaine (cf. « De la PRAM à 1,5 V chez Hitachi »).

PRAM

Pour rappel, PRAM (Phase-change RAM), se nomme aussi PCM ou Chalcogenide RAM [C-RAM]). On parle aussi d’Ovonic Unified Memory en raison du chercheur qui a initialement œuvré pour cette technologie, Standford Ovshinsky. Il travaillait pour Energy Conversion Devices qui donna naissance à Ovonix, la firme crée spécialement pour la conception de la PRAM. Cette mémoire utilise les propriétés du verre chalcogènide qui passe de l’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chaleur. Lorsqu’il est amorphe, le verre chalcogènide possède une très grande résistance électrique et représente la valeur 1 en langage binaire. L’état cristallin est l’exact opposé et représente la valeur 0. Pour connaître l’état de chaque bit, un courant très faible et n’occasionnant que très peu de pertes énergétiques est envoyé pour différencier les résistances. Cette mémoire gère 100 millions de cycles de lecture-écriture et peut conserver des données pendant plus 10 ans. Cette mémoire est avant tout présentée aujourd’hui comme une remplaçante de la NOR. Ed Doller, un des responsables de mémoire Flash chez Intel n’hésite pas à dire que « La Phase Change RAM est assez proche du Nirvana ».

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