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Wafers de 450 mm en 2011 chez Intel
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Intel vient de signer un accord avec Samsung et TSMC pour l’utilisation de wafers de 450 mm d’ici 2011, voire 2012, et qu’il gravera en 22 nm.
Tous les dix ans
On se souvient qu’Intel avait commencé à graver sur des wafers de 300 mm en 2001, alors qu’il introduisait le 130 nm. Dix ans auparavant les fondeurs passait aux wafers de 200 mm. On remarque donc que l’intervalle de dix ans entre chaque nouveau type de wafers est respecté.
Certains fondeurs n’ont pas encore passé toutes leurs chaînes de production aux 300 mm. Il faut dire que gravé sur un nouveau wafer coute extrêmement cher, mais les économies engendrées sont importantes. Ainsi, la surface d’un wafer de 450 mm est de 158 926,5 mm2, contre 70 650 mm2 pour un wafer de 300 mm. En d’autres termes, il sera possible de graver 2,2 fois plus de die qu’actuellement.
Le besoin de collaborer
Intel a signé un accord avec Samsung et TSMC afin d’aider les acteurs du marché lors de cette transition. Cela signifie que tous les outils et infrastructures nécessaires seront développés et testés d’ici 2012. Le fait qu’Intel passe un accord avec d’autres géants et néanmoins concurrents montre à quel point ce genre de chantier est lourd. Les enjeux sont aussi importants, car produire plus de puces d’un seul wafer est le principal facteur qui tire les prix vers le bas.
Source : Tom's Hardware
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Si la surface du wafer est doublée mais que dans le même temps la gravure est à 22nm (donc divisée par deux par rapport à aujourd'hui) c'est pas 2.2 fois plus de die par wafer mais pas loin de 4.5...
bah non justement! les dies font toujours la même taille, c'est juste le nombre de transistors qu'ils contiennent qui est plus élevé
Si la surface du wafer est doublée mais que dans le même temps la gravure est à 22nm (donc divisée par deux par rapport à aujourd'hui) c'est pas 2.2 fois plus de die par wafer mais pas loin de 4.5...
Non, c'est pas aussi simple. Un "shrink" (c'est le terme technique) d'un puce d'un process dans un autre n'implique pas une réduction mathématique comme ça. Les nouvelles technos ont des contraintes plus élevées que les anciennes, les cellules permettant de discuter avec l'extérieur (pad cells) ne se shrinkent pas beaucoup, etc. Au final, tu y gagnes en surface (heureusement
Sinon, pour tout ce qui est roadmap, technos, etc, tous les concurrents de toutes la filiere se mettent d'accord, ça s'appelle l'ITRS.
@fret, quand je compare la surface des wafers, je le fais sur un plan purement théorique et à finesse de gravure égale. En pratique, il est vrai qu'en plus d'un wafer plus grand, on gravera aussi plus petit donc à première vue, on peut penser que c'est plus que 2,2, sauf que si on veut avoir une valeur réele, on prend en compte la taille du wafer ET la finesse de gravure ET la taille du die qui reste encore inconnu...
donc je me limite à un ordre de grandeur théorique histoire de montrer que passer de 300 mm à 450 mm, ce n'est pas rien même si certains peuvent penser que ce n'est "que" 150 mm, au final, a finesse de gravure égale, on fait plus que doubler la surface
Ok merci des infos, je pensais simplement que la surface du die était proportionnelle à la finesse de gravure mais après réflexion il est vrai que si on grave 2 fois plus petit mais qu'on double le nombre de transistors normalement on a la même surface de die (mais j'imagine que là encore ca ne doit pas être aussi simple si je prends en compte les explications de Caabale). Enfin bref, mais je vous avoue que je lis les news ppc au réveil avec le café alors bon j'ai le cerveau un peu dans mon cul...