Rambus et Kingston parallélisent la DDR3

Rambus et Kingston ont annoncé travailler conjointement au développement d’une DDR3 ayant un débit 50 % plus important tout en ayant une consommation réduite de 20 % par rapport aux mémoires traditionnelles.

Paralléliser une barrette de DDR3

Les deux fabricants travaillent sur une mémoire qui parallélise le traitement des données afin d’optimiser l’utilisation la bande passante. Concrètement, les modules de mémoires sont partitionnés en deux pour former deux canaux indépendants. Les avantages seraient multiples selon les deux firmes. En divisant une mémoire en deux partitions indépendantes, on réduit le nombre moyen de modules actifs, puisque leur utilisation sera optimisée. Paralléliser la mémoire permettrait aussi au CPU d’aligner plus de transactions, car les temps d’attentes seraient réduits, améliorant ainsi les débits.

La seule modification à apporter à la mémoire consiste à intégrer un contrôleur capable de gérer cette technologie et tracer de nouvelles pistes sur le circuit imprimé pour créer deux chemins, que les firmes nomment pour l’instant le canal droit et gauche.

Nous sommes encore loin de la commercialisation

Rambus et Kingston n’ont pas donné beaucoup de détails sur leur technologie. Ils la présenteront lors de l’IDF qui se tiendra du 22 au 24 septembre 2009 à San Francisco. Les deux compagnies ne parlent pas encore de commercialisation, mais espèrent séduire les autres fabricants de mémoire afin de leur vendre les brevets nécessaires.