Toshiba et NEC viennent d’annoncer qu’il venait de développer une MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) qui combine de grandes capacités de stockage avec des temps d’accès en lecture et écriture les plus rapides du moment. Ainsi, chaque cellule atteint une capacité de 16 Mbits pour une vitesse de lecture et d’écriture de l’ordre de 200 Mo/s. Selon les deux firmes, cette mémoire fonctionnerait avec une tension de 1,8 V.

Si Toshiba et NEC parlent ce cette mémoire comme la mémoire morte (qui ne perd pas ses données lorsqu’elle n’est plus alimentée en courant) nouvelle génération, nous attendrons de voir son introduction sur le marché avant de nous prononcer.