Toshiba et NEC pour la MRAM
Toshiba et NEC viennent d’annoncer qu’il venait de développer une MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) qui combine de grandes capacités de stockage avec des temps d’accès en lecture et écriture les plus rapides du moment. Ainsi, chaque cellule atteint une capacité de 16 Mbits pour une vitesse de lecture et d’écriture de l’ordre de 200 Mo/s. Selon les deux firmes, cette mémoire fonctionnerait avec une tension de 1,8 V.
Si Toshiba et NEC parlent ce cette mémoire comme la mémoire morte (qui ne perd pas ses données lorsqu’elle n’est plus alimentée en courant) nouvelle génération, nous attendrons de voir son introduction sur le marché avant de nous prononcer.
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Il n'y a vraiment rien de nouveau ! ça fait des années qu'on parle de cette techno. Le pole haute technologies de Grenoble a même une usine de production dédiée à cette mémoire. Par contre, c'est vrai que je ne sais pas où elles sont utilisées à l'heure actuelle
Article 1 : http://www.cie-france.com/page/131 [...] on---.html
Article 2 : http://www.savoirs.essonne.fr/inde [...] apitre=324
Ca m'embetterai, je viens de commencer ma these sur les aimants moleculaires qui utilise exactement le meme principe des DD mais a l'echelle moleculaire.
Sans me mouiller ca multiplie par 1000 (10 000?, 50 000?) la capacite des DD. Mais c'est de la recherche fondamentale. Techniquement ca pourrait marcher a 2 degres kelvin, il y a encore du chemin pour arriver a 20 degres...
Par contre le bon vieux disque avec ces pieces mecanique......
bah effet d'annonce, ils ont fait un proto et alors ? tant qu'ils annoncent pas une dispo en masse de la puce je dis bof ...
pas avant 3 ans dans nos pc moi je dis, dans le meilleur des cas.
Comme la mémoire magnétique d'IBM, les mémoires holographiques, les cristaux-mémoires... bref R&D = SF pour le consommateur.