Un module MRAM de plus d’1 Go

Des chercheurs japonais ont développé un nouvel élément démontrant une magnétorésistance à effet tunnel, qui demande peu de courant en écriture et qui est extrêmement stable, ce qui permet la création de module MRAM de 10 Gbits.

Le problème des MRAM

Les résultats seront discutés lors de la conférence MMM-Intermag qui a ouvert ses portes hier à Washington DC. Nous savons néanmoins que ce nouvel élément gère beaucoup mieux l’augmentation des finesses de gravure, contrairement aux anciens matériaux qui demandent plus de courant, car il faut accroître l’espace libre qui perd plus facilement les données en mémoire à cause de la montée en chaleur au fur et à mesure de la réduction des nanomètres.

Nouvelle recette

Pour pallier ce problème, les scientifiques ont utilisé une couche de ruthénium prise en sandwich par deux couches de matériaux ferromagnétiques (CoFeB), ce qui protège cinq fois mieux contre les variations thermiques. Ils affirment qu’un utilisant un film de magnétisation perpendiculaire pour la couche libre, on peut créer une puce MRAM de 10 Gbits. Reste maintenant à voir si ce nouvel élément dépassera les portes des laboratoires.