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La nouvelle MRAM chinoise
Source: EETimes – Catégorie : Mémoires 6 commentaires
Une équipe de chercheurs menées par le professeur Han Xiufeng de l’Académie des Sciences et de l’Institut de Physique de Chine, vient de dévoiler une nouvelle MRAM(Magnetoresistive RAM) Mémoire non volatile développée depuis les années 1990 constituée de charges magnétiques et non électriques. Chaque cellule con.... Elle est constituée d’une série de cellules de mémoire magnétiques qui utilise des « anneaux » ou tunnels magnétiques pour contenir les 0 et les 1. Le diamètre intérieur du tunnel fait 50 nm contre 100 nm pour l’extérieur. Les chercheurs affirment que ce designDesign est un terme qui désigne indifféremment la manière dont est réalisée une carte électronique et l’aspect visuel des périphériques.
En ce qui con... permettrait de réduire la consommation énergétique de la MRAM et la taille des cellules mémoire. Seulement 500 à 600 microampères seraient nécessaires pour une opération d’écriture et 10 à 20 microampères pour la lecture d’une cellule, contre 100 à 200 microampères aujourd’hui.
La MRAM (Magnetoresistive RAM) est une mémoire non volatile développée depuis les années 1990. Contrairement aux RAM traditionnelles, les données ne sont pas constituées de charges électriques, mais magnétiques. Chaque cellule de MRAM contient deux éléments ferromagnétiques, chacun pouvant retenir un champ magnétique. Le communiqué chinois ne dit pas si des puces utilisant cette structure en anneau ont été produites utilisant cette technologie et si oui quelle était leur finesse de gravure. À vrai dire, peu d’informations ont circulé au sujet de cette mémoire et il faudra en savoir plus avant de vraiment savoir de quoi il retourne.
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PS :"Institue" => "Institut"
"de quoi il en retourne" => "de quoi il retourne"
pour résumé cette MRAM semble consommer moins que la DRAM et la FLASH, tout en conservant un temps d'acces de 25à 100ns, comme la SRAM, mais juste un peu plus rapide.
la MRAM utilise une méthode de lecture/écriture instantanée et sélective...ça cause non?
pour la petit histoire, cette technologie n'ets pas toute jeune, mais à l'époque, son utilisation ne pouvant se faire que hors-atmosphère elle ne pouvait se destiner qu'à des utilisations scientifiques ou militaires extrêmement couteuses.
Et donc quoi ? C'est révolutionnaire du coup ?
P't'êt' ben qu'oui, p't'êt' ben qu'non. On sait jamais avec les chinois.
pour la petit histoire, cette technologie n'ets pas toute jeune
De plus elle fait furieusement penser à l'ancêtre que fut la mémoire à tores de ferrite qui équipait, entre autres, les ordis à base de PDP11.
Nostalgie...
Ben, question revolution c'est plutôt dans la physique des choses que ça se passe. Les MRAM sont des applications de "l'électronique de spin" ou "spintronique", que l'on peut considérer comme étant l'étude et l'utilisation des interactions entre courant et aimantation dans un conducteur magnétique. Pour plus d'infos je vous conseil www.spintec.fr, labo du CEA de grenoble qui developpe des composants d'électronique de spin. Sinon pour dire un mot des MRAM, elles exploitent les variations de résistance réalisable par un simple changement de direction d'aimantation du matériaux dans la cellule mémoire. Résultat : Coté vitesse d'écriture, les phénomènes de renversement de l'aimantatoin permettent des vitesses comparable à ce qui se fait de plus rapide en RAM, en consommant très peut de courant et en plus, en conservant l'information sans rafraichissement (because enregistrement magnétique).
Donc révolution je sais pas, mais en tout cas ça pourrait devenir une mémoire universelle qui combine les avantages de toutes ses concurrentes. Le gros point a travailler c'est la densité de stockage. On en est pas tout a fait aux disques durs MRAM, les modèles actuels vont de quelques centaines de kO à 16Mo. Avis aux amateurs de nanomagnétisme, y a du pain sur la planche. Sinon en attendant c'est idéal pour des applications embraquée relativement peut consommatrices de mémoire. Et en plus sur ce coup là on a même des français dans la course
Tilu