Toshiba affirme avoir fait des avancées énormes dans le domaine de la MRAM. La firme a présenté une technologie s’inspirant du PMR (Perpendicular Magnetic Recording) des disques durs.

Problèmes de la MRAM

La MRAM (Magnetoresistive RAM) est une mémoire non volatile développée depuis les années 1990. Contrairement aux RAM traditionnelles, les données ne sont pas constituées de charges électriques, mais magnétiques.

Pour faire simple, la lecture des données s’effectue en mesurant la résistance électrique d’une cellule. Si la résistance est faible, on prendra cela pour un 0 tandis que si la résistance est plus grande on considéra que la valeur sera 1. Pour plus de détails, nous vous invitons à consulter notre dossier d’actualité « Retour sur le futur des mémoires ».

Si elles promettent des débits bien plus élevés que la mémoire Flash, les puces restent extrêmement cher et de petites capacités (12,5 $ pour 256 Ko – cf. « Freescale améliore sa MRAM, mais elle reste trop onéreuse »).

Polarités verticales

Toshiba aurait néanmoins réussi à pallier ce défaut. Le Japonais vient d’annoncer qu’il avait pu utiliser une technologie similaire à l’enregistrement perpendiculaire sur les disques durs. Le PMA (perpendicular magnetic anisotropy) définit la polarité de façon verticale au sein de l’élément magnétique, et non horizontalement, comme c’était le cas auparavant. Pour arriver à ses fins, Toshiba a modifié la structure d’une cellule MRAM et a surtout optimisé les matériaux utilisés sans que beaucoup plus d’information n’ait filtré.

L’avantage du PMA est que les changements de polarité ne demandent que très peu de puissance. Toshiba a ainsi pu atteindre un système précis et réduire la consommation des accès en écriture.

Reste maintenant à voir combien de temps il faudra à Toshiba pour que cette technologie puisse être utilisée sur les chaînes de production. En attendant, elle offre la possibilité d’augmenter sensiblement la capacité des puces MRAM pour espérer atteindre le Gigabit.