HP vient d’annoncer avoir prouvé l’existence des Memristor, ouvrant potentiellement la porte à des circuits qui replaceraient nos DRAM. 

Memristor

Les memristor sont considérés comme les quatrièmes composants électriques passifs après les condensateurs, les résistances et les bobines. Contrairement aux résistances, la résistance électrique au sein des memristor varie en fonction de la tension appliquée et de la durée pendant laquelle le courant traverse le composant. Une forte résistance est interprétée comme un 1, tandis qu’une faible résistance constitue un zéro. Cette résistance est donc aussi une mémoire.

De 1971 à aujourd’hui

L’existence d’un tel composant a été suggérée en 1971, mais ce n’est que maintenant que les chercheurs ont pu crééer un memristor fonctionnel. Le fait qu’un memristor ne peut mesurer que 5 nm de large et que le comportement d’un memristors ne peut être mesuré qu’à l’échelle du nanomètre explique ce laps de temps entre la théorie et la pratique. Les chercheurs d’HP ont découvert qu’ils avaient crée un Memristor lors d’une expérience qui plaçait un film nanoscopique de dioxyde de titane (un semiconducteur) entre deux fines tranches de platine.

Les applications sont bien entendu sans limites et les scientifiques imaginent déjà que ces composants vont remplacer les DRAM de demain. Les résultats des chercheurs d’HP ont été publiés dans la revue Nature de cette semaine.

Source : Tom's Hardware