Capteur et mémoire pour Micron

Lors du 3GSM de Barcelone, Micron a annoncé la sortie d’un nouveau capteur et d’une nouvelle puce mémoire. Tous ont pour but d’être intégrés dans des téléphones portables. Le capteur photo utilise des photosites de 1,75 micron et sera décliné en version 5, 3 et 1,3 Mégapixels. Un capteur similaire d’une résolution de 8 Mégapixels devrait voir le jour pour les appareils photo numériques compacts. La production de masse devrait démarrer d’ici l’été 2007. Notons que l’ancienne gamme de capteurs Micron comportaient des photosites de 2,2 microns et que selon nous, la réduction des photosites, et donc la diminution de leur sensibilité à la lumière, ne devrait pas aider la qualité de leurs clichés.

Du côté des mémoires, Micron présenté une puce DRAM pour appareil mobile de 125 Mo (1 Gbit). Gravés en 78 nanomètres, les premiers exemplaires devraient être fabriqués ce mois-ci pour une production de masse d’ici le troisième trimestre de cette année. La firme devrait aussi proposer un bundle incluant de la DRAM et 250 Mo ou 500 Mo de NAND sur un même package. Les exemplaires d’ingénierie de ces multichips package devraient être produit durant le deuxième semestre de cette année. Le but est de pouvoir offrir un maximum de capacité en profitant des avantages de la DRAM et de la NAND.