DDR3 : intérêt et comparatif
a montée en fréquence de la DDR3 a été bien plus rapide que ne l'avait été celle de la DDR2. Mais quel est l'intérêt aujourd'hui d'opter pour cette mémoire ? Et quel kit est le plus intéressant de par ses fréquences ou ses timings ? Lire la suite
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Une interface NAND 5x plus rapide
Source: EETimes – Catégorie : Mémoires 4 commentaires
IntelIntel est le premier fabricant mondial de microprocesseurs pour ordinateurs. Le terme Intel est issu de la contraction de « Integrated Electronics »).... et Micron viennent de présenter une interface pour mémoire FlashPuce de mémoire qui à la différence de la mémoire vive (DRAM) a la particularité de conserver les données en permanence après leur écriture, même en c... NANDPrincipal type actuel de mémoire flash.
La mémoire flash NAND repose sur une technologie mise au point par Toshiba à la fin des années 80. Elle a pris... permettant de multiplier les taux de transfert par cinq.
OFNi
La technologie employée a été définie par le groupe de travail Open NAND Flash Interface (ONFi). Au mois de novembre dernier, le groupe annonçait la publication de brouillon 0.9 de la norme ONFi 2.0 (cf. « ONFi 2.0 : pour de la mémoire Flash 2,5x plus rapide »). À l’époque, on parlait d’une amélioration de seulement deux fois et demie.
OFNi +
Comment expliquer cet écart entre le mois de novembre et aujourd’hui. La norme OFNi 2.0 prévoir un vitesse en lecture de 133 Mo/s, soit plus du double par rapport aux 50 Mo/s que l’on connait aujourd’hui. Micron et Intel ont néanmoins décidé d’aller plus loin en utilisant une architectureL’architecture est le terme employé pour caractériser la manière dont sont agencés les composants d’un processeur informatique, mais peut également êt... à quatre étages permettant d’atteindre une vitesse en lecture de 200 Mo/s, contre 100 Mo/s en écriture. On n’en saura pas plus.
Il est intéressant de noter que Micron a déjà commencé à livrer des échantillons et que la production de masse est attendue pour le second semestre de cette année. Micron affirme pouvoir fabriquer des modules 8 Gbit SLC alors que les modules MLCMulti-Level Cell. Technologie qui permet d’obtenir des puces de mémoire flash NAND de capacité élevée. Dans une puce mémoire classique (Single-Level C... sont attendus pour 2009. Les deux sociétés parlent aussi de vitesse atteignant 400 Mo/s en l’année prochaine.
L’arrivée de ces mémories NAND ultra rapides aideront clairement à accroître la portée des mémoires Flash et de tirer parti des interfaces PCIeNorme de connecteurs d’extension interne apparue en 2004 et aujourd’hui standard sur les PC de bureau. Le PCI-Express est à la fois le successeur du b... et USB 3.0Future version de la norme USB qui pourra atteindre un débit de 4,8 Gigabits/s (contre 480 Megabits/s pour l’USB 2). L’USB 3.0 ou USB 3 est une évolut....
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