Intel et Micron viennent de présenter une interface pour mémoire Flash NAND permettant de multiplier les taux de transfert par cinq.

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La technologie employée a été définie par le groupe de travail Open NAND Flash Interface (ONFi). Au mois de novembre dernier, le groupe annonçait la publication de brouillon 0.9 de la norme ONFi 2.0 (cf. « ONFi 2.0 : pour de la mémoire Flash 2,5x plus rapide »). À l’époque, on parlait d’une amélioration de seulement deux fois et demie.

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Comment expliquer cet écart entre le mois de novembre et aujourd’hui. La norme OFNi 2.0 prévoir un vitesse en lecture de 133 Mo/s, soit plus du double par rapport aux 50 Mo/s que l’on connait aujourd’hui. Micron et Intel ont néanmoins décidé d’aller plus loin en utilisant une architecture à quatre étages permettant d’atteindre une vitesse en lecture de 200 Mo/s, contre 100 Mo/s en écriture. On n’en saura pas plus.

Il est intéressant de noter que Micron a déjà commencé à livrer des échantillons et que la production de masse est attendue pour le second semestre de cette année. Micron affirme pouvoir fabriquer des modules 8 Gbit SLC alors que les modules MLC sont attendus pour 2009. Les deux sociétés parlent aussi de vitesse atteignant 400 Mo/s en l’année prochaine.

L’arrivée de ces mémories NAND ultra rapides aideront clairement à accroître la portée des mémoires Flash et de tirer parti des interfaces PCIe et USB 3.0.

Source : EETimes