NAND, 43 nm et MLC 3 bits

SanDisk vient d’annoncer avoir développé une mémoire NAND pouvant accueillir 3 bits par cellule. La firme parle aussi de puces gravées en 43 nm.

43 nm

SanDisk continue donc son petit bout de chemin. Récemment le fabricant annonçait ses nouvelles cartes SDHC. Aujourd’hui, il affirme pouvoir bientôt commencer la production de mémoire MLC en 43 nm. Selon SanDisk, l’augmentation de la finesse de gravure permettrait de doubler la capacité des puces 16 Gbits gravées en 56 nm. Les premières livraisons de puces utilisant ce process devraient avoir lieu au second semestre.

MLC 3 bits

Dans un autre registre, SanDisk affirme que les premiers samples de NAND MLC x3 sont prévus pour mars, voire avril. Comme nous vous le disions dans notre actualité «  Doubler la capacité de la flash avec la MLC 4 bits », ce genre de mémoire est néanmoins entaché de gros défauts de vitesse et de fiabilité. Elles sont aussi très complexes à concevoir en raison des différentes tensions que la puce doit être capable de gérer, chaque bit ayant une tension différente en lecture et en écriture.