Toshiba et Samsung accélèrent (la) Flash
Le coréen Samsung Electronics et le japonais Toshiba viennent d’annoncer un partenariat destiné à mettre au point une nouvelle génération de mémoire flash NAND, plus rapide que la génération actuelle.
Flash encore plus rapide
Alors que la mémoire flash « toggle-mode DDR NAND » actuelle utilise une interface asynchrone pouvant atteindre un débit de 133 Mbps (contre 40 Mbps seulement pour la SDR NAND MLC classique), l’interface de la DDR2 NAND que veulent mettre au point les deux géants devrait atteindre un débit de 400 Mbps.
Destinée aux futurs appareils mobiles et solutions de stockage, cette mémoire flash NAND de nouvelle génération devrait être rapidement standardisée par le JEDEC. Reste donc à savoir quand les premières puces de « DDR2 NAND » sortiront des usines…
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Sa a l'air prometteur tout sa ! A voir...