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Intel livre de la mémoire NOR
Source: TG Daily – Catégorie : Mémoires 5 commentaires
Intel vient d’annoncer avoir expédié les premières puces mémoires flash NOR 90 nm MLCMulti-Level Cell. Technologie qui permet d’obtenir des puces de mémoire flash NAND de capacité élevée.
Dans une puce mémoire classique (Single-Level C... (Multi-level cellProcesseur conçu en collaboration par IBM, Sony et Toshiba et dont le principal débouché actuel est la PlayStation 3.
Le processeur Cell est un procès...).
Record pour le M18
Le numéro un du semi-conducteur affirme que les puces qu’il vient de fournir et qui répondent au nom de code M18, connaissent les temps de lecture les plus rapides de l’industrie. En écriture, IntelIntel est le premier fabricant mondial de microprocesseurs pour ordinateurs. Le terme Intel est issu de la contraction de « Integrated Electronics »).... parle de 0.5 Mo/s par unité ce qui serait suffisant, selon le fondeur, pour que ce type de mémoire serve à stocker des images capturées par un appareil photo de 3 mégapixels ou une vidéo en MPEG4Moving Picture Experts Group. Norme élaborée au début des années 2000 et constituée de plusieurs codecs audio ou vidéo.
Le MPEG-4 est la troisième nor.... La capacité de cette nouvelle mémoire flash NOR devrait varier en fonction des déclinaisons pour osciller entre 32 Mo et 128 Mo. NEC et Sony ont déjà affirmé vouloir utiliser cette mémoire pour leurs téléphones portables.
Pour rappel, sachez que deux mémoires flash s’opposent, la NOR et la NAND, qui se distinguent selon les types de tables de vérités utilisées dans les cellules de stockage. Si les deux mémoires connaissent un effet d’usure lors des cycles de lecture et d’écriture, on estime que la NAND est épuisée après un millions d’opérations en lecture / écriture, contre seulement 10 000 à 100 000 pour la NOR.
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Quel intérêt alors ???
Moins rapide, capacités moindres, durée de vie plus faible... peut-être le cout???
c'est justement la question que je me posais
Ben c'est sans doute une nouvelle techno de NOR plus rapide et plus résistante que les générations précédentes...
Et je pense que MLC veut dire Multi-level cell car l'inverse ne veut rien dire
Un point mémoire de flash est exactement le même point qu'une SDRAM. : un transistor. La différence est dans l'épaisseur d'oxyde pour piégé plus de charge en dessous et donc de la tention à appliqué pour franchir l'isolant. En gros, cela veut dire que par default une flash est uniquement stoqué de 1 en ensuite on peut coder un zéro. Si on veut mettre un 1 à la place d'un zéro, on doit "effacer" le secteur. Le role du 1 et du 0 peuvent être inversé.
Dans le cas classique, on un niveau logique à 1 à 10V et 0 à 0V. Le multi-level cell stoque plusieurs bits sur le même transistor. 4 niveaux (==2bits) 10 à 8 V = 3, 8 à 5 V = 2, 5 à 3 V = 1, 3V à 0V = 0. Il existe aussi des 8 niveaux qui code 3 bits.
Cette astuce permet d'augmenter par 2 ou 3 la densité des puces. Par contre, la durée de rétention diminue (le transistor qui change d'état tout seul plus rapidement).
Par contre, la durée de rétention diminue (le transistor qui change d'état tout seul plus rapidement).
Donc les noms dans les répertoires des prochains portables Nec ou Sony vont changer tout seul au fil du temps
curck> Toutes les grosses flash actuelles sont multi level, et oui les risques de perte de données est plus grand.