Numonyx et Ovonyx pour la PRAM

Numonyx et Ovonyx ont signé un accord portant sur la fabrication de PRAM.

L’accord

Numonyx est cette coentreprise entre STMicroelectronics et Intel. Cet accord n’est donc pas une surprise alors qu’Intel et STMicro travaillaient déjà avec Ovonyx depuis un petit moment (cf. « Intel sort aussi sa PRAM »).

L’accord permet à Numonyx d’utiliser les technologies d’Ovonyx pour la fabrication de PRAM. Cette mémoire devrait permettre d’utiliser des finesses de gravure plus importantes qu’avec la mémoire flash et la DRAM. C’est néanmoins un investissement à long terme et personne n’anticipe une domination de la PRAM dans un futur proche. Ce genre d’accord montre tout de même que cette technologie avance vers le marché grand public et que les acteurs de l’industrie continuent leurs recherches.

PRAM

Pour rappel, PRAM (Phase-change RAM), se nomme aussi PCM ou Chalcogenide RAM [C-RAM]). On parle aussi d’Ovonic Unified Memory en raison du chercheur qui a initialement œuvré pour cette technologie, Standford Ovshinsky. Il travaillait pour Energy Conversion Devices qui donna naissance à Ovonix, la firme crée spécialement pour la conception de la PRAM. Cette mémoire utilise les propriétés du verre chalcogènide qui passe de l’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chaleur. Lorsqu’il est amorphe, le verre chalcogènide possède une très grande résistance électrique et représente la valeur 1 en langage binaire. L’état cristallin est l’exact opposé et représente la valeur 0. Pour connaître l’état de chaque bit, un courant très faible et n’occasionnant que très peu de pertes énergétiques est envoyé pour différencier les résistances. Cette mémoire gère 100 millions de cycles de lecture-écriture et peut conserver des données pendant plus 10 ans. Cette mémoire est avant tout présentée aujourd’hui comme une remplaçante de la NOR. Ed Doller, un des responsables de mémoire Flash chez Intel n’hésite pas à dire que « La Phase Change RAM est assez proche du Nirvana ».