De la PRAM à 1,5 V chez Hitachi

Hitachi et Renesas Technology viennent d’annoncer le développement d’une PRAM fonctionnant à 1,5 V, destinée au marché de l’embarqué. Gravée en 130 nm elle dispose d’une capacité de 512 Ko, affiche un débit de écriture de 416 Ko/s et un temps d’accès de 20 ns en lecture. Pour arriver à ce genre de débit, les deux sociétés ont développé des cellules utilisant un courant en écriture de 100 µA. Cette puce permettrait ainsi de réduire la consommation électrique et la taille des produits l’embarquant. Aucune date de production de samples d’ingénierie et encore moins de production de masse n’ont été divulguées.

De plus en plus de firmes font le parie de la PRAM qui s’annonce comme très prometteuse sur le marché des mémoires non volatiles embarqués. Pas plus tard qu’hier, nous vous annoncions les premières livraisons de PRAM par Samsung dans notre actualité « Samsung commence à livrer ses PRAM ». Le fabricant coréen prévoit une production de masse d’ici le début 2008. La principale utilisation de la PRAM est pour l’instant envisagée dans le monde des appareils mobiles (téléphones, PDA, baladeurs).

• Pour en savoir plus sur le futur des mémoires