Les uns après les autres les fabricants de mémoires cèdent au charme de la PRAM, alias mémoire à changement de phase. Après avoir été présentée par Samsung, soutenue par Intel et perfectionnée chez Hitachi, la PRAM va arriver chez Hynix. La firme vient de signer un accord avec Ovonix, société "inventeuse" de la PRAM. 

L’accord initie une coopération à long terme, mais on ne sait pas quand Hynix prévoit de débuter la production PRAM. Intel et Samsung ont, eux, déjà commencé, et pensent atteindre une production de masse dès 2008. Leurs modules de PRAM trouveront leur place dans des PDA et assimilés, en remplacement de la mémoire NOR et peut-être de la NAND si les chercheurs parviennent à densifier la PRAM autant que sa concurrente. Rappelons en effet que la PRAM se distingue par une durée de vie dix fois supérieures à la Flash, et une vitesse d’écriture trente fois plus rapide. Mais la Flash NAND a encore une ou deux longueurs d’avance en termes de densité de stockage...

• Notre dossier sur les mémoires du futur