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Intel double la capacité des PRAM
Source: Technology Review – Catégorie : Mémoires 0 commentaire
IntelIntel est le premier fabricant mondial de microprocesseurs pour ordinateurs. Le terme Intel est issu de la contraction de « Integrated Electronics »).... aurait découvert des états intermédiaires entre l’état amorphe et cristallin du verre chalcogènide de la PRAM(Phase-change RAM) Cette mémoire utilise les propriétés du verre chalcogènide qui passe de l’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chale..., permettant ainsi de stocker plus d’information sur une même surface.
Le fonctionnement d’une PRAM
Dans notre dossier « Dossier : retour sur le futur des mémoires », nous expliquions que cette mémoire utilise les propriétés du verre chalcogènide qui passe de l’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chaleur. Lorsqu’il est amorphe, le verre chalcogènide possède une très grande résistance électrique et représente la valeur 1 en langage binaire. L’état cristallin est l’exact opposé et représente la valeur 0. Pour connaître l’état de chaque bit, un courant très faible et n’occasionnant que très peu de pertes énergétiques est envoyé pour différencier les résistances.
C’est une mémoire qui est très prisée et qui fait l’objet de nombreuse recherche. Intel a déjà sorti ses premiers modules (cf. « Intel sort aussi sa PRAM ») et des scientifiques de l’Université de Pennsylavnie travaillent sur une MPRAM mille fois plus rapide que la mémoire FlashPuce de mémoire qui à la différence de la mémoire vive (DRAM) a la particularité de conserver les données en permanence après leur écriture, même en c... (cf. « Une PRAM 1000 fois plus rapide que de la mémoire Flash »).
Une technologie plus fine
Selon les recherches d’Intel et STMicroelectronics, il existerait deux autres états intermédiares. Pour changer d’état, un petit élément chaffant joue sur la température, ce qui change l’état du GST, un alliage métalloïde composé de germanium, d’antimoine et de tellure. En contrôlant la chaleur de manière plus précise et en utilisant des instruments de mesure capable de détecter les différentes résistances, les fondeurs ont pu manipuler deux autres états intermédiaires. Intel et STMicroelectronics n’ont pas, semble-t-il, crée une nouvelle PRAM, mais un système beaucoup plus précis, capable de figer et détecter le verre à un moment intermédiaire. Au final, chaque cellule peut donc contenir deux bits puisqu’elle peut avoir quatre valeurs différentes (cristallin, amorphes et deux étapes intermédiaires, ce qui pourrait donner quelque chose comme 0+0, 0+1, 1+0, 1+1).
Cette technologie serait assez petite en taille pour être commercialement viable. Tout le monde se garde bien de donner une date de commercialisation, mais il semblerait que l’on soit plus proche des cinq que des dix ans.
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