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Samsung commence à livrer ses PRAM

David Civera
Mardi 27 février 2007 à 01:45 par David Civera, 2007-11-08
Source: Tech On – Mots-clés : PRAM, Samsung
Catégories : Stockage

Photo d'une cellule de PRAM en 200 nmSamsung vient de dévoiler qu’il avait déjà commencé la livraison de samples de PRAM(Phase-change RAM) Cette mémoire utilise les propriétés du verre chalcogènide qui passe de l’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chale... (Phase Change RAM) gravé en 90 nm sur des wafersFine plaque ronde, généralement en silicium, sur laquelle sont gravées les puces en de multiples exemplaires. Un wafer est une tranche fine de matéria... de 200 mm chaque puce a une capacité allant de 32 à 64 Mo. Les destinataires sont des fabricants de téléphones portables. Selon le Coréen, d’autres samples d’ingénierie devraient être livrés à partir du mois d’avril jusqu’au mois de juin. Les samples commerciaux devraient être livrés fin 2007 pour une production en masse début 2008 si tout se passe bien.

NOR prend garde

Samsung a pour projet de tacler la NOR, qui est fort bien implantée dans le marché des téléphones portables PDAPersonal Data Assistant. Un PDA est un ordinateur de la taille d’un calepin et qui vise à assurer les fonctions d’agenda et de carnet d’adresse électr..., baladeurs, etc. Néanmoins, la firme déclare que « la demande en PRAM est relativement forte chez les fabricants de téléphones portables » et reste donc confiante quant à la pénétration de sa nouvelle mémoire dans ce marché.

PRAM

Pour rappel, PRAM (Phase-change RAM), se nomme aussi PCMTechnologie d’enregistrement du son reposant sur le relevé à intervalles constants du niveau de l’onde sonore (échantillonnage). Le PCM (Pulse-code mo... ou Chalcogenide RAM [C-RAM]). Cette mémoire utilise les propriétés du verre chalcogènide qui passe de l’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chaleur. Lorsqu’il est amorphe, le verre chalcogènide possède une très grande résistance électrique et représente la valeur 1 en langage binaire. L’état cristallin est l’exact opposé et représente la valeur 0. Pour connaître l’état de chaque bit, un courant très faible et n’occasionnant que très peu de pertes énergétiques est envoyé pour différencier les résistances.


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