La PRAM va enfin être une réalité

Samsung a annoncé qu’il allait commencer la production en masse de sa PRAM au mois de juin prochain.

PRAM

La PRAM ou Phase-Change RAM se nomme aussi PCM ou Chalcogenide RAM [C-RAM]). On parle aussi d’Ovonic Unified Memory en raison du chercheur qui a initialement œuvré pour cette technologie, Standford Ovshinsky. Il travaillait pour Energy Conversion Devices qui donna naissance à Ovonix, la firme crée spécialement pour la conception de la PRAM. Cette mémoire utilise les propriétés du verre chalcogènide qui passe de l’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chaleur. Lorsqu’il est amorphe, le verre chalcogènide possède une très grande résistance électrique et représente la valeur 1 en langage binaire. L’état cristallin est l’exact opposé et représente la valeur 0. Pour connaître l’état de chaque bit, un courant très faible et n’occasionnant que très peu de pertes énergétiques est envoyé pour différencier les résistances.

La PRAM pourrait remplacer la mémoire Flash

Cette mémoire gère 100 millions de cycles de lecture-écriture et peut conserver des données pendant plus 10 ans. Elle est aussi trente fois plus rapides que de la mémoire flash, en théorie, car l’écriture d’un bit ne demande pas que l’on efface le contenu de la cellule avant l’écriture de la nouvelle donnée.

La PRAM devient une réalité

Samsung avait annoncé l’année dernière qu’il commercialiserait cette mémoire en 2009 (cf. « Samsung : de la PRAM en 65 nm dès 2009 »). On est encore loin de remplacer la mémoire flash, mais cela propulse la PRAM sur le devant de la scène. La fabrication de cette mémoire aura lieu dans les usines 200 mm du Coréen. Reste maintenant à voir avec quelle rapidité cette mémoire sera intégrée dans les produits grand public qui utilisent aujourd’hui de la mémoire flash.