Une PRAM 1000 fois plus rapide que de la mémoire Flash
Des scientifiques de l’Université de Pennsylvanie viennent d’annoncer avoir développé une PRAM capable de stocker des informations pendant 100 000 ans et ayant une vitesse mille fois plus rapide que les mémoires Flash actuelles, tout en utilisant moins de puissance et en prenant moins de place. Une chose est sûre, voici une mémoire dont tout le monde rêve, mais elle est loin d’atterrir entre nos mains de consommateurs moyens.
Des fils qui se créent « tout seuls »
Cette PRAM du futur utilise des nano fils utilisant un alliage métalloïde composé de germanium, d’antimoine et de tellure (appelé GST). Les nano fil d’un diamètre d’environ 30 à 50 nm et d’une longueur de dix micromètres ne sont pas fabriqué à l’aide de procédés lithographiques classiques. En fait, les chercheurs parlent d’un auto-assemblage, ce qui semble être la réelle nouveauté ici. Cette méthode de fabrication utilise des composants chimiques qui se cristallisent à basse température et qui, catalysés par des « nano métaux », forment des nano fils. Le résultat est ensuite transféré sur un substrat de silicium sans que plus de détails n’aient filtré de la part des chercheurs.
Les vitesses du futur
La consommation en écriture serait de 0,7 mW par bit selon le communiqué qui indique aussi que le temps pour écrire, effacer et retrouver une donnée tourne autour de 50 nanosecondes. Les chercheurs ne se sont pas avancés pour donner une date de commercialisation de leur technologie. Leurs résultats seront publiés dans le magazine Nature Nanotechnology du mois d’octobre. Dans notre article sur les mémoires du futur, nous estimions que la PRAM ne devrait pas remplacer la mémoire Flash avant 10 ans. Ces résultats ne semblent pas vraiment changer cette donnée pour le moment.
À titre d’information, sachez Samsung est un des pionniers en matière de recherches sur le métalloïde germanium-antimoine-tellure. Le Coréen s’est néanmoins concentré sur des puces mémoires RAM en partenariat avec Intel. Pour la petite histoire, on estime que c’est le cofondateur d’Intel, Gordon Moore, qui en 1970 lança l’idée d’utiliser ce matériau
En ce qui concerne la Phase Change RAM (PRAM), l’utilisation de GST est chose connue depuis longtemps. Pour rappel, cette mémoire passe de l’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chaleur. Lorsqu’il est amorphe, le verre chalcogènide possède une très grande résistance électrique et représente la valeur 1 en langage binaire. L’état cristallin est l’exact opposé et représente la valeur 0. Pour connaître l’état de chaque bit, un courant très faible et n’occasionnant que très peu de pertes énergétiques est envoyé pour différencier les résistances.
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On s'extasie mais avec inquiétude...
Prenons une mémoire de 4Go...ce qui nous fait 4294967296 bits...
On nous dit, pour écrire il faut 0,7mW par bit... cool...
Il nous faut donc pour écrire 4Go dépenser en énergie: 30064771,072 Watts.... seulement 30 MW...va falloir en mettre des centrales nucléaires...même avec des microWatt on obtient un chiffre faramineux... Où est l'erreur dans cette news réjouissante?
MEA CULPA!!!
Je me suis trompé dans mes calculs... J'ai oublié de multiplier par 8 mon nombre de bits...donc multipliez la puissance par 8... glups!
Ca vous arrive souvent d'allez lire les news de l'université de Pennsylvanie ?
"pour écrire 4Go dépenser en énergie: 30064771,072 Watts"
Certe mais en écrivant les 4Go en une fois et en continu. En divisant ce nombre par le temps effectif d'écriture des quelques mégas octets et en re divisant par le nombre de bits du bus (on accède pas au 4Go en parrallèle en une fois) on obtient une consommation véritablement plus réduite !...
David, oui
A mon humble avis, pour ce qui est de la puissance élec. d'écriture il faut voir çà sur la largeur du canal. Par exemple, si c'est du 32 bits ça ne fera un qu'peu plus de 0.02W, et si c'est du 16 bits on aura donc 0.01W, ce qui est vraiment très très peu !!!
c'est monstrueux, l'unité serait pas nW genre nanoW ?
sylvain37 et joshuameurey > +1
Space_Cowboy > ??? Je comprend pas..on rapporte la source, et accessoirement à part la reprise exact sur du communiqué sur Tech Power Up, j'ai rien vu d'autre... sachant que Tech ne reprend que le communiqué, ben autant linker la source du CP
cyrano ==> je pencherais pour la meme idée, erreur dans le communiqué entre micro et milli voire nano et micro carrement aussi
si "Prenons une mémoire de 4Go...ce qui nous fait 4294967296 bits...
On nous dit, pour écrire il faut 0,7mW par bit... cool...
Il nous faut donc pour écrire 4Go dépenser en énergie: 30 MW" tu fait ce calcul tu a la puissance instantané consommé si tu écrit sur toute la mémoire en une fois 1 bit par octet
en considérant que tu a un bit sur 2 a changer tu a 120MW pendant 50ns soit 6Ws ou joule
voila qui est plus raisonnable et un temps pour remplir cette petite mémoire assez simpat..
Fabus77 > Le but de la news c'est entre autre de consommer moins, pas d'avoir une centrale nucléaire pour alimenter ta clé USB.
quoi il existe des centrale nucleaire usb ? ^^
oui, j'en ai une dailleur, mais bon, je dois pa avoir de bol, depuis que je l'ai, je perd mes cheuveux, mes dents, et quand jme coupe, ca gueri plus, enfin, c kan mm cool la technologie!!! lolo
Dites moi si je me trompe mais je pense que fabus77 n'a pas tord.
En sachant que la vitesse d'ecriture d'une memoire flash est de +/- 36 Mo/s (SSD en IDE : voir http://www.presence-pc.com/tests/s [...] -22695/5/) et que cette memoire se dit 1000x plus rapide donc on aurait une vitesse en ecriture de 36000 Mo/s soit 301989888000 bits/s => 211,3929216 MW/s. je dois surement me planter mais bon