Process 0.07µ pour les chips DRAM Samsung
Le plus gros fabricant de puces mémoire au monde, Samsung Electronics, affirme avoir développé et vérifié le process de fabrication 70 nm pour la production des chips DRAM. Pour ce faire, le géant affirme utiliser des électrodes métalliques en guise de condensateurs, au lieu des traditionnels condensateurs en silicium.
Dès novembre 2003, Samsung avait pour rappel annoncé une mémoire flash de type NAND de 512 Mo, produite grâce aux process 80 nm et 70 nm. Actuellement, le 0.07µ aurait été utilisé avec succès pour la production de puces mémoire de 64 Mo.
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Le plus gros fabricant de puces mémoire au monde, Samsung Electronics, affirme avoir développé et vérifié le process de fabrication 70 nm pour la production des chips DRAM. Pour ce faire, le géant affirme utiliser des électrodes metalliques en guide de condensateurs, au lieu des traditionnels condensateurs en silicium.
Dès novembre 2003, Samsung avait pour rappel annoncé une mémoire flash de type NAND de 512 Mo, produite grace aux process 80 nm et 70 nm. Actuellement, le 0.07µ auraient été utilisé avec succès pour la production de puces mémoire de 64 Mo.
C'est quoi, ça ?


Une vieille news rééditée ?
Une news du 14/05/03 qui dit : "Dès novembre 2003, Samsung avait pour rappel annoncé..."
Une panne d'inspiration peut être
En novembre c'était pour les flash NAND
Non, mais d'accord, mais je parlais de la bizarrerie entre les temps utilisés et les concordances de dates...