Des chercheurs coréens ont développé les premières RRAM quasi transparentes.

TRRAM

C’est une mémoire unique en son genre. Appelée TRRAM (transparent resistive random access memory), les scientifiques ont présenté leurs résultats dans la revue Applied Physics Letters de cette semaine, publiée par l’American Institute of Physics.

La mémoire est non volatile (elle retient les données même éteint). Caractérisées comme étant révolutionnaires, ces mémoires permettent de faire un pas de plus vers la fabrication de produit totalement transparents, comme des téléphones.

L’iPhone du futur ?

Les RRAM en question sont fabriquées en empilant des couches d’oxyde de métaux transparents. Selon les chercheurs, les méthodes de fabrications sont peu couteuses et on peut envisager une mise sur le marché de ces puces d’ici trois ans à quatre ans. Il est aussi intéressant de noter que les scientifiques ne parlent pas de remplacer les mémoires actuelles, mais de créer un nouveau marché de produit électronique transparent.

Memristor

Pour rappel, les RRAM se rapprochent des memristors. Un memristor est le quatrième composant passif appartenant à la théorie des circuits électrique (après la résistance, le condensateur et la bobine électrique). Le premier prototype fonctionnel de memristor a été présenté en avril 2008 (cf. « HP prouve l’existence des Memristor »). Auparavant, ce composant n’existait que sur le papier de Leon Chua, entre autres, qui est un universitaire qui a conceptualisé les memristors.

Source : Applied Physics Letter