Fujitsu présenté les progrès de ses recherches sur la Resistive RAM, ou ReRAM, un nouveau type de mémoire volontiers annoncé comme la remplaçante de la Flash. Cette mémoire souffrait jusqu’alors d’une consommation trop élevée et d’une durée de vie en usage intensif trop limitée. Fujitsu vient de résoudre ces problèmes en modifiant un des matériaux employés.

Comment ça marche ?

Une cellule de ReRAM est composée de deux électrodes enserrant une couche d’oxyde métallique binaire, classiquement de l’oxyde de NickelTi. Il a été découvert que ce oxyde avait un comportement particulier, lorsque soumis à une forte tension. La résistance du matériau peut en fait prendre deux états métastables, l’un à une à valeur très élevée, l’autre à une valeur très basse. La bascule entre les deux s’opère en appliquant une tension précise entre les deux électrodes. Ainsi, lorsque la cellule doit être effacée, on applique une tension élevée : la résistance augmente alors brutalement. Pour écrire dans la cellule, il faut appliquer une tension encore plus élevée, ce qui fait diminuer la résistance de l’oxyde.

La Flash n’a qu’à bien se tenir

Les chercheurs de Fujitsu ont découvert qu’en remplaçant une partie des atomes de Nickel par du Titane, les propriétés de l’oxyde étaient grandement améliorées. La tension d’effacement peut être augmentée, ce qui diminue la durée de l’opération à 5 ns, soit 10 000 fois moins que précédemment. Le courant nécessaire peut, lui, être diminué à moins de 100 µA. Enfin, les risques que la résistance fluctue spontanément et de manière incontrôlée ont été divisés par 10 ce qui rend cette mémoire plus adaptée à un usage courant. La ReRAM pourrait donc rapidement remplacer la Flash, car plus rapide, plus facilement miniaturisable et tout aussi économique. À suivre...

• Notre dossier Retour sur le futur des mémoires