Des ReRAM Panasonic pour 2012 ?

Panasonic a annoncé qu’il allait produire des ReRAM en masse en 2012 d’une capacité de 2 Mb. Elles devraient d’abord être utilisées dans des téléviseurs et autres systèmes demandant de faibles quantités de mémoire.

Les petits débuts très intéressants de la ReRAM de Panasonic

Le Japonais avait présenté un papier en 2008 sur une ReRAM en tantale et oxygène. Non volatile, elle gardait ses données en mémoire pendant 10 ans à une température de 85 ºC. Panasonic travaillait à l’époque sur des modules de 8 kb gravés en 180 nm. On ne connait pas la finesse de gravure de ces nouvelles puces, mais on peut facilement déduire qu’il s’agit d’une continuation des recherches publiées il y a trois ans.

Panasonic va démarrer la fabrication des premiers exemplaires de tests à la fin de cette année dans son usine de Toyama, au Japon. Il espère que l’utilisation de ces mémoires, qui seraient 10 fois plus rapides que la Flash selon lui, réduit la consommation des téléviseurs de deux tiers. La firme envisage d’en utiliser aussi dans ses lecteurs Blu-ray et ses équipements médicaux. C’est ce que rapporte le quotidien nippon Nikkei, cité par Reuters.

ReRAM et memristors : la Flash est menacée

En raison de l’actualité de ces derniers jours, il est important de faire une distinction entre ReRAM et memristors. Les ReRAM ou Resistive Random Access Memory sont des mémoires qui utilisent un système de variation de résistance électrique pour stocker une donnée. Schématiquement, une résistance forte va représenter un 1 ou un 0 suivant le design et une résistance faible va contenir l’inverse.

Un memristor est le quatrième composant électrique passif après le condensateur, la résistance et la bobine. En début de semaine, HP a apporté une contribution importante au monde scientifique en publiant une étude éclairant le fonctionnement de ce composant (cf. « HP pense vendre des memristors en 2013 »). Palo Alto est un des pionniers des memristors (cf. « HP prouve l’existence des Memristors ») et il s’est associé à Hynix pour la fabrication de ReRAM intégrant ces composants (cf. « HP et Hynix vers la vente de memristors »).

Il est important de comprendre qu’il existe des ReRAM sans memristors. C’est le cas des modèles de Panasonic qui demandent du tantale et de l’oxygène. Celles de Fujitsu utilisent un oxyde de nickel-titane (cf. « Fujitsu améliore sa ReRAM, la mémoire du futur ? ») et Numonyx travaille sur une ReRAM, aussi appelée PRAM, qui repose sur du verre chalcogènide dont la résistance électrique augmente lorsqu’il connait un état amorphe ou diminue lors de son passage à un état cristallin (cf. « Numonyx et Ovonyx pour la PRAM »).

Panasonic est le premier à donner une date aussi précise de commercialisation d’une ReRAM. HP parle de commercialiser des memristors en 2013, mais il avertit que rien n’est encore sûr. Les ReRAM ont le grand avantage de ne pas voir leur cycle d’écriture diminuer avec l’augmentation de la finesse de gravure, ce qui est le cas des mémoires Flash (cf. « Durée de vie des SSD : en 25 nm, il serait mort »). Ces dernières ont encore de beaux jours devant elles. Les fonderies continuent d’investir massivement dans cette technologie et la transition vers une nouvelle mémoire est généralement lente. La relève semble néanmoins pointer le bout de son nez.