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Une nouvelle ReRAM ultra rapide

Par - Source: UCL

Une ReRAM métalliqueDes chercheurs de l’University College de Londres (UCL) ont conçu une ReRAM utilisant principalement un oxyde de silicium au lieu des oxydes de métaux que l’on trouve habituellement. Elle ouvre donc la voie à des mémoires plus fiables et moins chers.

ReRAM : une mémoire résistante

Les premières ReRAM (ou RRAM) de Fujitsu utilisaient de l’oxyde de nickel titane (cf. « Fujitsu améliore sa ReRAM, la mémoire du futur ? »). Les nouveaux modèles n’ont pas beaucoup changé depuis (cf. « Une RRAM flexible et en plastique »). Pour rappel, une ReRAM utilise un changement de résistance électrique au sein de la cellule de mémoire pour déterminer la valeur du bit qu’elle stocke. Une faible résistance est un 0 et une forte résistance est un 1 (cf. « Une nouvelle ReRAM par Globalfoundries »). Le changement de résistance est lié à une modification de la structure du matériau utilisé dans la cellule mémoire qui a lieu lors du passage d’un courant électrique.

La nouvelle mémoire anglaise utilise un oxyde de silicium qui voit sa structure atomique bouleversée lors du passage d’un courant électrique, ce qui va créer des filaments qui vont augmenter sa résistance électrique. L’envoi d’un courant électrique d’une tension différente permet de revenir à l’état initial et rompre ces filaments.

De l’oxyde de silicium à la place d’un oxyde de titane

Les avantages d’une telle cellule sont nombreux. Elle consomme très peu d’énergie et peu passer d’un état à l’autre cent fois plus rapidement qu’une mémoire Flash. Elle est non volatile (elle maintient son état, même lorsqu’elle n’est pas traversée par le courant), elle tolère aussi les températures ambiantes et n’a pas besoin d’être sous vide. Elle est donc une candidate idéale pour la production en masse. Il faudra attendre tout de même encore plusieurs années avant que cela soit possible.

Les chercheurs d’UCL ont découvert les propriétés de ce matériau par accident. L’oxyde de silicium utilisé aujourd’hui était destiné à la fabrication d’un LED, mais les premières expériences n’étaient pas satisfaisantes. Les scientifiques pensaient que le matériau était instable, mais ont par la suite compris qu’il changeait d’état en fonction du courant qui le traversait.

Les résultats ont été publiés dans la revue Journal of Applied Physics et UCL vient de déposer une demande de brevet pour protéger sa technologie.

Il y a 1 commentaire. B
Tous les commentaires
  • 1
    Basilic et Pistou , 22 mai 2012 06:15
    Citation :
    L’envoi d’un courant électrique d’une tension différente permet de revenir à l’état initial et rompre ces filaments.

    Hum, comment dire ... :whistle: